Приложение
для AndroidПолное описание
Radiation resistance of GaAs-based microwave schottky-barrier devices : some physico-technological aspects / A.E.Belyaev,J.Breza,E.F.Venger и др. - Киiв : "Iнтерпрес", 1998. - 127 p. : ill. - ISBN 966-501-024-7. - Текст : непосредственный.
В надзаг.Slovak univ.techn.Рез.укр.Библиогр.:с.119-127
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.35.47 | 621.382.029.6:539.16 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы СВЧ -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Belyaev, A.E.
Breza, J.
Venger, E.F.
Vesely, M.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/21012)
Шифр в сводном ЭК: 27b10a38059af908ddac798e67f46897
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Баранов А.В. Транзисторные усилители-ограничители мощности в ключевых режимах с улучшенными частотными и энергетическими характеристиками : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Баранов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный.Малков Н.А. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н. А. Малков, В. П. Шелохвостов, 2000. - 123 с. - Текст : непосредственный.Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Усанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный.Григорьева Н.Ю. Дипольно-обменные спиновые волны в периодических структурах на основе тонких ферромагнитных пленок : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Ю. Григорьева, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1428) : Селективные СВЧ устройства на основе волноводно-планарных структур : По дан.отеч.и зарубеж.печати,1981-1988 гг. / А.В.Старунский,Г.Н.Шеламов, 1989. - 64 с. - Текст : непосредственный.Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды / А. И. Горбачев, С. В. Кукарин, 1968. - 64 c. - Текст : непосредственный.Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : выставочные материалы / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой, 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный.Фадеев А.В. Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и ее использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники / А. В. Фадеев, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фролов А.П. Структуры с фотонной запрещенной зоной и их использование в ближнеполевой СВЧ-микроскопии / А. П. Фролов, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.Градобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный.Костров В.В. Y-параметры транзисторов для приемно-усилительной техники / В. В. Костров, В. В. Ромашов, С. С. Кривандин, 1995. - 64 c. - Текст : непосредственный.Данильцев В.М. Металлоорганическая газофазная эпитаксия гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As для приборов миллиметрового диапазона длин волн : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Данильцев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Щука А.А. Микроэлектроника СВЧ-диапазона волн / А. А. Щука, 1998. - 78 с. - Текст : непосредственный.Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный.Вызулин С.А. Обобщенные плоские волны в задачах электродинамики магнитогиротропных сред : специальность 01.04.03 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. А. Вызулин, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный.Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике, 1973. - 399 с. - Текст : непосредственный.Чиненков М.Ю. Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями / М. Ю. Чиненков, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГрадобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный.Radiation resistance of GaAs-based microwave schottky-barrier devices : Some physico-technological aspects / A.E.Belyaev,J.Breza,E.F.Venger и др., 1998. - 127 p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽