Приложение
для AndroidПолное описание
Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York). Proceedings of the symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices, New York, 1988 / Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York) ; Ed.: T. J. Shaffner, D. K. Schroder. - Pennington(NJ) : [s. n.], 1988. - VI,289 p. p. : ill. - (Proceedings / Electrochem. soc. ; n88-20). - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце ст.Указ.:с.279-289
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592(063) | |
| 47.33 | 621.382.001.4(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Методы исследования -- Съезды и конференции
Полупроводниковые приборы -- Техническая диагностика -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Shaffner, T.J.\ed.\
Schroder, D.K.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Q/4195/88-20)
Шифр в сводном ЭК: 5b2a00fb86480db1da6da2015007930d
Schroder D.K. Semiconductor material and device characterization / D.K.Schroder, 2006. - XV, 799 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices, New York, 1988 / Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York) , 1988. - VI,289 p. p. - Текст : непосредственный.
Plasma proceedings : материалы временных коллективов / Ed. G. S. Mathad, 1988. - 400 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the international symposium on advanced materials for ULSI, 1988, Atlanta / International symposium on advanced materials for ULSI (1 ; 1988 ; Atlanta) , 1988. - VI,246 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices, New York, 1988 / Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York) , 1988. - VI,289 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on high temperature lamp chemistry, May 15-20, 1988, Atlanta / Symposium on high temperature lamp chemistry (2 ; 1988 ; Atlanta) , 1988. - 349 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on dry process, Oct. 22-23, 1987, Honolulu / Symposium on dry process (9 ; 1987 ; Honolulu) , 1988. - VIII, 347 p. 347 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on low temperature electronics and high temperature superconductors, Oct.19-23, 1987, Honolulu / Symposium on low temperature electronics and high temperature superconductors (1987 ; Honolulu) , 1988. - XII,602 p. p. - Текст : непосредственный.Laser processes for microelectronic applications : Papers presented at the symp.on laser processes for microelectronic applications held in Honolulu(Hi), Oct.21-22, 1987 / Ed. J. J. Ritsko, 1988. - 251 p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on advances in corrosion protection by organic coatings, Apr.11-14, 1989, Cambridge / Symposium on advances in corrosion protection by organic coatings (1989 ; Cambridge) , 1989. - X,541 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the international symposium on electrochemistry in mineral and metal processing, May 15-19, 1988, Atlanta / International symposium on electrochemistry in mineral and metal processing (2; 1988; Atlanta), 1988. - VII,563 p. p. - Текст : непосредственный.
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.
Юбилейные 60-е Дни науки студентов : Сб. тезисов докл. / Московский ин-т стали и сплавов, Дни науки студентов(60;2005), 2005. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2008 : тез. докл. V междунар. конф. и IV шк. молодых ученых и специалистов по актуал. проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний-2008", Черноголовка, 1-4 июля 2008 г. / Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Москва), 2008. - 274 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 1, 1991. - 269 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 2, 1991. - 278 с. - Текст : непосредственный.Semi-insulating III-V materials : Proc.of the 5th conf. on semi-insulating III-V materials, held in Malm@:o, 1-3, Jun. 1988 / Ed.: G. Grossmann, L. Ledebo, 1988. - XVI,601 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices, New York, 1988 / Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York) , 1988. - VI,289 p. p. - Текст : непосредственный.HeteroSiC & WASMPE 2011 : sel., peer rev. papers from the 4th workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), Jun. 27-30, 2011, Tours, France / Workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (4; 2011; Tours), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.VIII Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий : Тез. докл.,Ташкент, ноябрь, 1991 г. / Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий (8 ; 1991 ; Ташкент) , 1991. - 92 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состоянии : Тез. докл. 2 респ. науч.-техн. конф. с участием ведущих ученых СНГ, Республика Таджикистан, г. Куляб, 25-28 ноября 1992 г. / Кулябский гос. ун-т, 1992. - 102 с. - Текст : непосредственный.Sub-quarter-micron silicon issues in the 200/300 mm conversion Era: Proc.of the E-MRS IUMRS ICEM 2000 meet., Symp.L / Ed. H. FuSstetter, 2001. - VII, 232 p. 232 p. - Текст : непосредственный.Key engineering materials. Vol. 459 : Silicon science and advanced micro-device engineering I : sel., peer rev. papers from the 5th Intern. symp. on silicon science and the 1st Intern. conf. on advanced micro-device eng. (ISSS & Amde 2009), was held by the Intern. education and research center for silicon science and the advanced technology research center (ATEC), Gunma Univ. on 10 and 11 Dec. 2009 in Kiryu, Japan / International symposium on silicon science (5th; 2009; Kiryu); International conference on advanced micro-device engineering (1st; 2009; Kiryu), 2011. - XII, 282 p. - Текст : непосредственный.Program and Summaries / International Symposium on Compound Semiconductors (23 ; 1996 ; St.Petersburg) , 1996. - 134 с. - Текст : непосредственный.VIII всесоюзное координационное совещание "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5" : Тез. докл. / "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5",всесоюзное координационное совещ. (8 ; 1990 ; Черновцы) , 1990. - 139 с. - Текст : непосредственный.Semiconductor silicon: materials science and technology : Proc.of the summer school,Erice,July 3-15,1988, 1989. - IX,345 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽