Полное описание
Игонина, Т. И.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.382.002(043)
Кл.слова (ненормированные): Строительство и архитектура. Серия - Строительство объектов
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар07-11494)
Шифр в сводном ЭК: 9a832f24dd331753814d8b2ab196b08f
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Мальвинова О.В. Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. В. Мальвинова, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный. Котляров Ю.В. Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Ю. В. Котляров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Прудаев И.А. Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr / И. А. Прудаев, 2009. - 19 с. - Текст : непосредственный. Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : специальность 05.27.07 "", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный. Зюрюкин А.В. Компьютерное моделирование процессов распространения и осаждения аэрозольных частиц в локальных чистых объемах микроэлектроники : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. В. Зюрюкин, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный. Хмелев А.Т. Разработка и реализация метода резки кремния на пластины с упругим закреплением слитка : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Т. Хмелев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Башевская О.С. Разработка оборудования и схем формирования пластин арсенида галлия с целью повышения их точностных параметров : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. С. Башевская, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сологуб Л.В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Сологуб, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный. Перевощиков В.А. Физико-химические процессы химико-динамического полирования полупроводников (кремний, германий, полупроводниковые соединения типа А В) : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. А. Перевощиков, 1994. - 57 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Ehmann T. Systematische Untersuchungen zur Ultraspurenanalytik von Anionen mit der Kapillarzonenelektrophorese und ihre Anwendung in der Halbleiterindustrie : Diss. / T.Ehmann, 1998. - ii,142 S. S. - Текст : непосредственный. Ковалев А.А. Научные основы создания ресурсосберегающих технологий очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. А. Ковалев, 2007. - 50 с. - Текст : непосредственный. Науменко Э.В. Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур: На прим. InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.16:05.27.06 / Э. В. Науменко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
