• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Электронно-энергетическая структура сложных халькогенидов и халькогалогенидов / А. А. Лаврентьев [и др.]; [науч. ред. А. В. Солдатов] ; Донской государственный технический университет. - Ростов-на-Дону : ДГТУ, 2018. - 319 с. : ил. - Библиогр.: с. 280-316 (355 назв.). - 500 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322

    Рубрики:
    Полупроводники -- Электронная теория

    Аннотация: Приведены многочисленные формулы для проведения конкретных теоретических расчетов электронно-энергетической структуры (ЭЭС) сложных полупроводниковых материалов. Значительное внимание уделено разным обменно-корреляционным потенциалам. Приведены основные формулы для расчета тензора диэлектрической проницаемости и оптических характеристик твердых тел для основного состояния (GS). Показаны многочисленные расчеты сложных полупроводниковых халькогенидов и халькогалогенидов. Приведены рассчитанные плотности электронных состояний (DOS) в сравнении с полученными авторами монографии рентгеновскими и рентгеноэлектронными спектрами фосфорсодержащих сульфидов Tl3PS4, Sn2P2S6, InPS4, галидов Cs2HgX4 (X = Cl, Br, I), соединений типа APb2Br5 (A= K, Pb), в Tl4HgBr6 и ряде четверных соединений (Cu2CdGeS4, Ag2CdSnS4, Ag2HgSnS4).
    Доп. точки доступа:
    Лаврентьев, А.А.
    Габрельян, Б.В.
    Ву, В.Т.
    Хижун, О.Ю.
    Солдатов, А.В.\ред.\
    Донской государственный технический университет (Ростов-на-Дону)

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-18/57529)

    Шифр в сводном ЭК: 1e2b2eac9fef385c59851243c8e5197a



    Заказ фрагмента документа ₽