Полное описание
> Кушхов, А. Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов. - Нальчик, 2004. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18(6 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.13.33 621.315.592.002:621.794(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар05-302)>
Шифр в сводном ЭК: fa55c5c9a8b533c9833c25b1d55f0768
Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Ускоренные ионы : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов [и др.], 2012. - 127 с. - Текст : электронный. Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Элионная технология в микро- и наноиндустрии : курс лекций / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, Б. А. Билалов, 2008. - 155 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2012. - 96 с. - Текст : электронный. Кузнецов Г.Д. Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом. Ускоренные электроны : учеб. пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2012. - 96 с. - Текст : непосредственный. Кушхов А.Р. Исследование морфологических особенностей роста островковых наноразмерных пленок диселенида олова, полученных инконгруэнтным испарением / А. Р. Кушхов, О. И. Рабинович, Д. С. Гаев. - Текст : непосредственный // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : тр. междунар. молодеж. конф. в рамках Фестиваля науки, 2 - 3 окт. 2012 г., Астрахань. - Астрахань. - 2012. - с. 107-111 Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный. Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный. Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный. Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Клебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Аракчеева Е.М. Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений А В, полученные методом реактивного ионного травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. М. Аракчеева, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Чжан Хай-Ин.Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Чжан Хай-Ин, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный. Горбатов Ю.Б. Исследование процессов травления ионными и атомными пучками, стимулированных потоком фторсодержащих радикалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ю. Б. Горбатов, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный. Багрий И.П. Исследование и разработка способов повышения эффективности плазмохимической микрообработки материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. П. Багрий, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Апполонов С.В. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Апполонов, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Абрамова Е.А. Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. А. Абрамова, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный. Панчук О.О. Взаимодействие теллурида кадмия с водными растворами бихромата калия в минеральных кислотах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.01 / О. О. Панчук, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Беневоленский С.Б. Повышение эффективности травления арсенида галлия в низкотемпературной плазме с использованием гетерогенного катализа и пассивации боковых поверхностей профиля травления продуктами полимеризации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.13 / С. Б. Беневоленский, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный. Сытов И.П. Моделирование процесса фотостимулированного травления кремния в среде хлора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Сытов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽