Полное описание
>
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. - Воронеж : Водолей, 2004 - . - Пер. изд. : Handbook of semiconductor technology. - Weinheim et al., 2000. - Текст : непосредственный.Т. 2 : Технологические процессы. - 2011. - 908 с. : ил. - Библиогр.: с. 883-885. Предм. указ.: с.886-908. - 400 экз. - ISBN 978-5-9273-1883-4
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592-047.84(03) |
Рубрики:
Полупроводники -- Обработка -- Справочники
Аннотация: Технология выращивания и обработки кремния. Технология выращивания монокристаллов полупроводниковых соединении. Эпитаксиальное выращивание. Фотолитография. Селективное легирование. Процессы травления в производстве полупроводников. Приборы на кремниевых структурах. Устройство приборов на основе сложных полупроводников. Технология производства микроэлектронных приборов на основе кремния. Технология производства микроэлектронных приборов на основе полупроводниковых соединении. Сборка интегральных схем. Системы разводки.
Доп. точки доступа:
Джексон, К.А.\ред.\
>
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/17884/2)>
Шифр в сводном ЭК: e1bce3d8438d56575e5dfc49b8d0242e
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 2 : Технологические процессы, 2011. - 908 с. - Текст : непосредственный.Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 1 : Электронная структура и свойства полупроводников, 2004. - 967 с. - Текст : непосредственный.
Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Под ред. К.А. Джексона, В. Шретера; Пер. с англ. под ред. Э.П. Домашевской. Т. 2 : Технологические процессы, 2011. - 908 с. - Текст : непосредственный.Брофи, Питер. Оценка деятельности библиотек: принципы и методы / Питер Брофи; научный редактор перевода - доктор технических наук, профессор Я. Л. Шрайберг; [пер. с англ. А. И. Земскова], 2009. - 357 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Брофи, Питер. Оценка деятельности библиотек: принципы и методы / Питер Брофи; научный редактор перевода - доктор технических наук, профессор Я. Л. Шрайберг; [пер. с англ. А. И. Земскова], 2010. - 357 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Трофимов, В. И. Процессы и аппараты технологии строительных материалов и изделий : учебное пособие. Ч. 2 : Технологические процессы : (краткий курс лекций), 2020. - 99 с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
