Приложение
для AndroidПолное описание
Weidner, J. -O. Charakterisierung der Zuverlassigkeit von sub-мm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si- Kontakten bei hochbeschleunigten Lebensdauertests : Diss. / J.-O.Weidner. - Hannover, 1999. - 102 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.97-102
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.315.592.9(043) | |
| 621.382.002:621.793(043) |
Рубрики:
Контакт металл-полупроводник
Полупроводниковые приборы -- Металлизация
Кл.слова (ненормированные): КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/21031)
Шифр в сводном ЭК: 5e1cce02d8aced07a65bb4c0497485b1
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSchafer B.-J. Einfluss dunner Zwischenschichten auf die Bandkantendiskontinuitat am Ge/GaAs(110)-Halbleiterkontakt / B.-J. Schafer, 1990. - 98 S. - Текст : непосредственный. Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.Бочкарева Л.В. Переходы Шотки / Л. В. Бочкарева, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.
Божков В.Г. Контакты металл-полупроводник: физика и модели / В. Г. Божков, 2016. - 526 с. - Текст : непосредственный.Loopstra O.B. AMORPHOUS Mo/Si MULTILAYERS : interdiffusion and structural relaxation; crystallization: Diss. / O.B.Loopstra, 1992. - 113 p. - Текст : непосредственный.Bather K.H. Physiko-chemische Prozesse in Kontakt- und Leitbahnsystemen : Speziell in Silizid/(Barriere)/Al-Systemen: Diss. / K.H.Bather, 1989. - 356 S. - Текст : непосредственный.Susla B. Zastosowanie spektroskopii tunelowej do badania przejsc elektronowych i emisji swiatla w zlaczach metal-izolator-metal / B.Susla, 1993. - 54 s. - Текст : непосредственный.Weidner J.-O. Charakterisierung der Zuverlassigkeit von sub-мm AlSiCu/TiN/Ti/n-Si- Kontakten bei hochbeschleunigten Lebensdauertests : Diss. / J.-O.Weidner, 1999. - 102 S. - Текст : непосредственный.Dupre T. A supersymmetric non-linear o-model for the metal-insulator transition : Diss. / T.Dupre, 1995. - 98 p. - Текст : непосредственный.Физика и применение контакта металл - полупроводник : Сб. науч. тр. / Кубан. гос. ун-т, 1989. - 80 c. - Текст : непосредственный.Guttler H.H. Elektrische Eigenschaften inhomogener Metall-Halbleiter-Grenzflachen : Diss. / H.H.G@:uttler, 1991. - 185 S. - Текст : непосредственный.Sypli A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli, 1998. - 106 S. - Текст : непосредственный.Шевяков В.И. Омические и выпрямляющие контакты в ИС : Учеб.пособие / В.И.Шевяков, 1999. - 55 с. - Текст : непосредственный.Schmitz S. Tunnelexperimente zu Anomalien der elektronischen Zustandichte von ungeordneten Metallen : Diss. / S.Schmitz, 1989. - 91 S. - Текст : непосредственный.Rhoderick E.H. Metal-semiconductor contacts / E.H.Rhoderick,R.H.Williams, 1988. - XIII, 252 p. 252 p. - Текст : непосредственный.Никифоров В.В. Электроосаждение и ионизация металлов на полупроводниках / В.В. Никифоров, 2004. - 73 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Давыдов В.Ю. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ю. Давыдов, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный.Лоскутов С.А. Релаксация зарядового состояния структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Лоскутов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.Г. Квантовые точки I и II типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дайнека Д.В. Электронные свойства границ раздела Cs/Si и Ba/Si при субмонослойных покрытиях : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Дайнека, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кулик Л.В. Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Кулик, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Рудаков В.И. Неизотермические процессы в системах на основе кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. И. Рудаков, 1998. - 35 с. - Текст : непосредственный.Штенберг В.Б. Конфигурационное взаимодействие и резонансы в наноструктурах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Б. Штенберг, 2003. - 15 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.И. Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения / С. И. Новиков, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенеманская Г.В. Электронные свойства ультратонких границ раздела металл-металл и металл-полупроводник : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. В. Бенеманская, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽