Полное описание
Niewohner, L. ISBN 3-18-142209-6. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.33.31 621.3.049.771.14.002(043)
Рубрики: Интегральные схемы большие -- Металлизация
Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): S/378/122)
Шифр в сводном ЭК: d8fe21ce29057a8d3e47a1d704eda940
Munzner A. Generierung von arithmetischen Building-Blocken unter Berucksichtigung anwendungsspezifischer Randbedingungen / A.Munzner, 1991. - X,115 S. S. - Текст : непосредственный. Knospe K. Integration von Optoelektronischen Bauelementen mit CMOS-Schaltungen in Silizium / K.Knospe, 1992. - 132 S. - Текст : непосредственный. Jung N.W. Beitrage zur optoelektronischen Farbanalyse transparenter Vorlagen auf der Basis spektraler Kenngrossen : Diss. / N.W.Jung, 1991. - VIII,159 S. S. - Текст : непосредственный. Esser W. BiCMOS-Schaltungen und Systemkonzepte mit Anwendungen in der Bildsignalverarbeitung / W.Esser, 1992. - 186 S. - Текст : непосредственный. Munster I. Methodik und Verfahren zum Entwurf analoger Systemkomponenten fur kundenspezifische,integrierte Schaltungen / I.Munster, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный. Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный. Zhang C.-X. VLSI-Plazierung mit neuronalen Lernalgorithmen / C.-X.Zhang, 1992. - VII,109 S. S. - Текст : непосредственный. Wilhelm D. Integrierter Differenz-Sensor auf der Basis von pH-empfindlichen Feldeffekttransistoren mit Pseudorefenzelektroden / D.Wilhelm, 1992. - X,130 S. S. - Текст : непосредственный. Klinger M. Untersuchugen an einem Josephson-Spektrometer : Diss. / M.Klinger, 1992. - VI,119 S. S. - Текст : непосредственный. Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный. Plasberg G. Simulation von Radarzielen fur hochauflosende Radargerate : Diss. / G.Plasberg, 1991. - 82 S. - Текст : непосредственный. Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Zucker O. Ein integrierter Druck-/Temperatursensor in Siliziumplanartechnik : Diss. / O.Zucker, 1991. - Текст : непосредственный. Hahn H. Untersuchung und Integration von Berechnungsverfahren elementarer Funktionen auf CORDIC-Basis mit Anwendungen in der adaptiven Signalverarbeitung : Diss. / H.Hahn, 1991. - 164 S. - Текст : непосредственный. Schad R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad, 1991. - 88 S. - Текст : непосредственный. Wolters C. CMOS-Schaltnetz-Synthese mit Komplexgattern : Diss. / C.Wolters, 1991. - 118 S. - Текст : непосредственный. Fichtel J. BICMOS-Schaltungskomponenten fur die analoge Signalverarbeitung : Diss. / J.Fichtel, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный. Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный. Walther M. AlGaAs-Quantenfilmmodulatoren mit integriertem Fabry-Perot-Resonator / M.Walther, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный. Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Венцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков, 1994. - 164 c. - Текст : непосредственный. Чураев С.О. Встраиваемые системы контроля параметров интегральных схем пикосекундного разрешения / С. О. Чураев, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный. Special issue on high-speed circuits : материалы временных коллективов / Ed.: M. Mokhtari, M. G. Stubbs. - 1095-1210 p. p. - Текст : непосредственный. Papers presented at the 12th IEEE VLSI test symposium,1994 / VLSI test symposium (12 ; 1994 ; New York) , 1995. - 529-649 p. p. - Текст : непосредственный. Курейчик В.М. Контролепригодное проектирование и самотестирование СБИС: проблемы и перспективы / В. М. Курейчик, С. И. Родзин, 1994. - 174 c. - Текст : непосредственный. Микросхемы интегральные серии КР580.. К744 / "Электростандарт", российский НИИ (Санкт-Петербург), 1993. - 224 c. - Текст : непосредственный. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий / И. П. Потапов, В. М. Антимиров, Ю. К. Фортинский, К. И. Таперо, 2007. - 121 с. - Текст : непосредственный. Овечкин Р.М. Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них : специальность 05.12.07 "Антенны, СВЧ устройства и их технологии" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Р. М. Овечкин, 2004. - 16 c. - Текст : непосредственный. Packaging handbook, 1991. - Pag.var. мкф. - Текст : непосредственный. Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Сибагатуллин А.Г. Повышение помехоустойчивости аналого-цифровых систем на кристалле средствами адаптивной коррекции сложных функциональных блоков / А. Г. Сибагатуллин, 2010. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Акуленок М.В. Исследование и разработка процесса формирования эпитаксиальных структур "кремний на диэлектрике" для совершенствования технологии СБИС : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. В. Акуленок, 1990. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Бокша В.В. Разработка основ технологии создания маскирующих слоев для БИС методом лазерной вакуумной проекционной литографии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / В. В. Бокша, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Kahler J.D. Selektive Wolframauffullung fur CoSi2-Kontakte in grossintegrierten Schaltungen : Diss. / J.D.K@:ahler, 1999. - 124 S. - Текст : непосредственный. Козлитин А.И. Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / А. И. Козлитин, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный. Епимахов И.Д. Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / И. Д. Епимахов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Редичев Е.Н. Размерный эффект плавления тонких медных пленок и его использование для формирования межсоединений кремниевых СБИС : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. Н. Редичев, 2006. - 26 с. - Текст : непосредственный. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / Е. В. Булыгина, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.01 / М. Г. Путря, 2002. - 53 с. - Текст : непосредственный. Каратунов Ю.В. Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Ю. В. Каратунов, 2003. - 27 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
