Приложение
для AndroidПолное описание
Harms, T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms. - dusseldorf : VDI Verl., 1991. - 179 S. : Ill. - (Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik / Verein Dt.Ing. ; N110). - ISBN 3-18-141009-8. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323.002 |
Рубрики:
МОП-транзисторы -- Производство
Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОР
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): S/378/110)
Шифр в сводном ЭК: 897f8f2db3094d65422af3336ed42fa2
Мерсер З.К. Интегрированная теория оценки бизнеса : пер. с англ. / З. К. Мерсер, Т. У. Хармс; под науч. ред. В. М. Рутгайзера, 2008. - 282 с. - Текст : непосредственный.Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный.Harms T.F. Summary statistics for selenium in vegetation calculated from U.S.Geological Survey data / T.F.Harms, 1995. - 31 p. - Текст : непосредственный.
Munzner A. Generierung von arithmetischen Building-Blocken unter Berucksichtigung anwendungsspezifischer Randbedingungen / A.Munzner, 1991. - X,115 S. S. - Текст : непосредственный.Knospe K. Integration von Optoelektronischen Bauelementen mit CMOS-Schaltungen in Silizium / K.Knospe, 1992. - 132 S. - Текст : непосредственный.Jung N.W. Beitrage zur optoelektronischen Farbanalyse transparenter Vorlagen auf der Basis spektraler Kenngrossen : Diss. / N.W.Jung, 1991. - VIII,159 S. S. - Текст : непосредственный.Esser W. BiCMOS-Schaltungen und Systemkonzepte mit Anwendungen in der Bildsignalverarbeitung / W.Esser, 1992. - 186 S. - Текст : непосредственный.Munster I. Methodik und Verfahren zum Entwurf analoger Systemkomponenten fur kundenspezifische,integrierte Schaltungen / I.Munster, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный.Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный.Zhang C.-X. VLSI-Plazierung mit neuronalen Lernalgorithmen / C.-X.Zhang, 1992. - VII,109 S. S. - Текст : непосредственный.Wilhelm D. Integrierter Differenz-Sensor auf der Basis von pH-empfindlichen Feldeffekttransistoren mit Pseudorefenzelektroden / D.Wilhelm, 1992. - X,130 S. S. - Текст : непосредственный.Klinger M. Untersuchugen an einem Josephson-Spektrometer : Diss. / M.Klinger, 1992. - VI,119 S. S. - Текст : непосредственный.Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный.Plasberg G. Simulation von Radarzielen fur hochauflosende Radargerate : Diss. / G.Plasberg, 1991. - 82 S. - Текст : непосредственный.Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный.Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный.Zucker O. Ein integrierter Druck-/Temperatursensor in Siliziumplanartechnik : Diss. / O.Zucker, 1991. - Текст : непосредственный.Hahn H. Untersuchung und Integration von Berechnungsverfahren elementarer Funktionen auf CORDIC-Basis mit Anwendungen in der adaptiven Signalverarbeitung : Diss. / H.Hahn, 1991. - 164 S. - Текст : непосредственный.Schad R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad, 1991. - 88 S. - Текст : непосредственный.Wolters C. CMOS-Schaltnetz-Synthese mit Komplexgattern : Diss. / C.Wolters, 1991. - 118 S. - Текст : непосредственный.Fichtel J. BICMOS-Schaltungskomponenten fur die analoge Signalverarbeitung : Diss. / J.Fichtel, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный.Walther M. AlGaAs-Quantenfilmmodulatoren mit integriertem Fabry-Perot-Resonator / M.Walther, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыSpringer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный.Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.
Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах,стимулированных ионно-имплантированными и термическими воздействиями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Андриевский, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Буробин В.А. Организация и обеспечение эффективного функционирования промышленно-инновационной системы серийного производства новых разработок мощных полевых транзисторов на арсениде галлия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.22 / В. А. Буробин, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах / В.А.Гриценко;Отв.ред.В.Г.Литовченко, 1993. - 280 c. - Текст : непосредственный.Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный.Бутусов И.Ю. Неразрушающий электрический контроль структур SiO -Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. Ю. Бутусов, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Aidam R. Untersuchung des epitaktischen Wachstums dunner Pb(Zr0,52Ti0,48)03-Schichten und ihre Anwendung in ferroelektrischen supraleitenden Feldeffekttransistoren : Diss. / R.Aidam, 1999. - 92 S. - Текст : непосредственный.Paloheimo J. Studies of the electronic properties of conjugated polymers : From dimerization to charge transport in polymeric transistors:Diss. / J.Paloheimo, 1993. - 36 p. - Текст : непосредственный.Мичелена М.Автоматизированная система измерения вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров полупроводников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.11.16 / Мичелена М., 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Крылов Д.Г. Кинетика накопления и отжига радиационных центров в физических областях кремниевых комплементарных МОП структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Г. Крылов, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Белов И.В. Многоуровневое моделирование механизмов и кинетики роста пленок оксидов металлов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / И. В. Белов, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽