Приложение
для AndroidПолное описание
Diodes : discrete semiconductors. - Englewood(Co) : [s. n.]. - Текст : непосредственный.
Ed. 57,Vol.1. - 1990. - 1059 p.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.2(05) |
Рубрики:
Диоды полупроводниковые
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/12715/57,Vol.1)
Шифр в сводном ЭК: 768a30aaffe990c289692426426fbaaa
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРовдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо, 2000. - 286 с. - Текст : непосредственный.Минарский А.М. Transverse stability and inhomogeneous dynamics of fasr impact ionization waves in diode structures / А. М. Минарский, П. Б. Родин, 1995. - 40 p. - Текст : непосредственный.Волкова Е.В. Полупроводниковые диоды : выставочные материалы / Е. В. Волкова, С. В. Оболенский, 2014. - 108 с. - Текст : непосредственный.Шухостанов А.К. Лавинно-пролетные диоды: физика, технология, применение / А. К. Шухостанов, 1997. - 208 с. - Текст : непосредственный.Ионычев В.К. Механизмы формирования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов : монография / В. К. Ионычев, 2017. - 99 с. - Текст : непосредственный.
Report series / Univ. of Auckland. Dep.of mathematics . 537 : Dirichlet-to Neumann techniques for the plazma-waves in a slot-diod / A.B.Mikhailova, B.S.Pavlov, V.I.Ryzhii, 2005. - 27 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Физические основы радиоэлектроники. Полупроводниковые диоды : Учеб. пособие по курсу "Элемент. база радиоэлектроники" / М.Д.Воробьев;Под ред.А.А.Жигарева, 1992. - 80 с. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Ким Ун Се.Стабильность термометрических характеристик полупроводниковых диодов при криогенной температуре / Ким Ун Се,В.И.Дацков, 1991. - 8 с. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Update, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.1, 1990. - 1059 p. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 57,Vol.2, 1990. - Pag.var. - Текст : непосредственный.Diodes : Discrete semiconductors. Ed. 59, 1992. - 109,B1-D18 p. p. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽