Приложение
для AndroidПолное описание
Мокроусов, Г. М. Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников с жидких средах : учеб. пособие / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Березкина. - СПб. [и др.] : Лань, 2015. - 107 с. : ил. - Библиогр.: с. 105-107 (53 назв.). - 300 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.382-047.84 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы -- Производство
Доп. точки доступа:
Зарубина, О.Н.
Березкина, Т.П.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-15/58857)
Шифр в сводном ЭК: 6d18cc14d11552aaadf7f8d2f097a9a7
Мокроусов Г.М. Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников с жидких средах : учеб. пособие / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Березкина, 2015. - 107 с. - Текст : непосредственный.Смагин В.П. Физико-химические аспекты формирования и свойства оптически прозрачных металлосодержащих полимерных материалов / В. П. Смагин, Г. М. Мокроусов, 2014. - 256 с. - Текст : непосредственный.Введение в общую химию : учеб. пособие / В. М. Белов [и др.], 2014. - 193 с. - Текст : непосредственный.Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз / Г.М.Мокроусов;Под ред.Г.Г.Савельева, 1990. - 229 c. - Текст : непосредственный.Мокроусов Г.М. Межфазные явления в системах многокомпонентное соединение - раствор, оксид, металл : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук:02.00.04 / Г. М. Мокроусов, 1999. - 38 с. - Текст : непосредственный.Зарубина О.Н. Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / О. Н. Зарубина, 2013. - 21 с. - Текст : непосредственный.Мокроусов Г. М. Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников в жидких средах : учебное пособие / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Бекезина, 2022. - 112 с. - текст : электронный.
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМоносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Методы и технологии получения графенов и квантоворазмерных структур : материалы временных коллективов / Астраханский гос. ун-т, 2010. - 75 с. - Текст : непосредственный.Брук В.А. Производство полупроводниковых приборов, 1973. - 364 с. - Текст : непосредственный.Номоконова Н.Н. Система контроля и анализа технических свойств интегральных элементов и устройств вычислительной техники по многоуровневой модели информативных параметров : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Н. Н. Номоконова, 2010. - 40 с. - Текст : непосредственный.Мазель Е.З. Планарная технология кремниевых приборов, 1974. - 384 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.А. Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках / А. А. Кравченко, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.Минскер Ф.Е. Сборка полупроводниковых приборов : выставочные материалы / Ф. Е. Минскер, А. Ю. Бер, 1974. - 127 с. - Текст : непосредственный.Лозовский В.С. Моделирование эволюции межфазных границ при термомиграции жидкой зоны в кристалле методом точечных источников / В. С. Лозовский, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Papers selected from the 5th International SiGe technology and devices meeting, Stockholm, Sweden on May 24th-26th 2010 / Ed. M. Östling, 2011. - 138 p. - Текст : непосредственный.Solid state science and technology XXVI : sel., peer rev. papers from the 26th Reg. conf. on solid state science and technology, Nov. 22-24, 2011, Seremban, Negeri Sembilan, Malaysia / Reg. conf. on solid state science and technology (26; 2011; Seremban), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.El-Kareh B. Silicon devices and process integration : deep submicron and nano-scale technologies / B. El-Kareh, 2009 r=on-line. - Текст : электронный.Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов : учеб. пособие / А. И. Курносов, В. В. Юдин, 1974. - 400 с. - Текст : непосредственный.Гусев Е.Ю. Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. Ю. Гусев, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Мокроусов Г.М. Межфазные превращения и формирование поверхности многокомпонентных полупроводников с жидких средах : учеб. пособие / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Т. П. Березкина, 2015. - 107 с. - Текст : непосредственный.Хлызов В.А. Разработка системы управления и автоматизация технологического процесса лазерного управляемого термораскалывания на промышленных установках : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.14 / В. А. Хлызов, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Казаков В.Д. Материалы нано- и оптоэлектроники в полупроводниковых и оптических системах : учеб. пособие / В. Д. Казаков, 2016. - 127 с. - Текст : непосредственный.Badih El-Kareh.Silicon Analog Components. Device Design, Process Integration, Characterization, and Reliability / Badih El-Kareh, L. N. Hutter, 2015 r=on-line. - Текст : электронный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽