• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Матвеев, Б. А. Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на их основе : автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Б. А. Матвеев. - СПб., 2010. - 35 с. : ил. - Библиогр.: с. 29-35. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.57621.384.3(043)

    Кл.слова (ненормированные): ГАЗОВЫЙ АНАЛИЗ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- ИНФРАКРАСНАЯ ТЕХНИКА -- ЛАЗЕРЫ -- МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- СВЕТОДИОДЫ -- ФОТОДИОДЫ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩЕЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-27364)

    Шифр в сводном ЭК: b6a5b336b03cf28f14d1469c00ae56cd



    Заказ фрагмента документа ₽