Приложение
для AndroidПолное описание
Воронков, Э. Н. Электропроводность полупроводников : учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н. Воронков, Е.В. Зенова, О.Б. Сарач. - М. : Изд-во МЭИ, 2005. - 67 с. : ил. - Библиогр.: с. 67(7 назв.). - 300 экз. - ISBN 5-7046-1192-3. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Моск. энерг. ин-т
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:537 |
Рубрики:
Полупроводники -- Электропроводность
Доп. точки доступа:
Зенова, Е.В.
Сарач, О.Б.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-05/15105)
Шифр в сводном ЭК: 9135c75ff378942f1f5c960d8d0197b0
Сарач О.Б. Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. Б. Сарач, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах, 1973. - 312 с. - Текст : непосредственный.
Зенова Е.В. Разработка и исследование методов диагностики изоляционной системы маслонаполненных трансформаторов на основе изучения спектров токов поляризации : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.09.02 / Е. В. Зенова, 2013. - 40 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Электропроводность полупроводников : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н. Воронков, Е.В. Зенова, О.Б. Сарач, 2005. - 67 с. - Текст : непосредственный.Зенова Е.В. Основы теории и расчета надежности изделий электронной техники : Учеб. пеособие / Е. В. Зенова, 2005. - 67 с. - Текст : непосредственный.Зенова Е.В. Основы разработки, конструирования и расчета альфа-ионизационного преобразователя давления, работающего в области пониженных давлений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.02 / Е. В. Зенова, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Солнечная энергетика может стать одним из ключевых факторов формирования нового технологического уклада / Э. Н. Воронков. - Текст : непосредственный // Промышленная энергетика. - М. : Энергопрогресс, 2017. - № 4. - с. 48-53Применение Dual-beam технологии для создания прототипа матрицы энергонезависимой памяти на фазовых переходах / Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, П. К. Кондратьев [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010 (МЭС - 2010) : сб. тр. IV Всерос. науч.-техн. конф., 4-8 окт. 2010 г., Москва. - М. - 2010. - с. 658-661Твердотельная электроника : учеб. пособие / Э. Н. Воронков [и др.], 2009. - 318 с. - Текст : непосредственный.Структурная диагностика и вещественный анализ современных наносистем с применением аналитического оборудования на основе прецизионной электронно-ионной сканирующей микроскопии / А. М. Тагаченков, Е. В. Зенова, Ю. В. Ануфриев, В. Ю. Дубровинский. - Текст : непосредственный // Нанотехнологии - производству 2012 : тр. VIII науч.-практ. конф., 4-6 апр. 2012 г., Фрязино. - М. - 2012. - с. 142-150
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАбдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ибрагимова А.С. Теоретические и вычислительные аспекты исследования одного варианта метода прямых для системы моментных уравнений переноса заряда в полупроводниках : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Ибрагимова, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Шаршунов Д.В. Проводимость алмаза, индуцированная оптическим и ионизирующим излучением : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Шаршунов, 2003. - 14 с. - Текст : непосредственный.Королев Ф.А. Импеданс нанопористых оксидов алюминия и титана с адсорбированной водой вблизи фазового перехода вода - лед / Ф. А. Королев, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах / Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко, 1999. - 154 с. - Текст : непосредственный.Старухин А.Н. Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Н. Старухин, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Ярашюнас К.Ю. Динамические решетки в изучении светоиндуцированных оптических и электрических явлений и параметров полупроводников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / К. Ю. Ярашюнас, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Половцев И.С. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в легированном кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. С. Половцев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Зимин С.П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. П. Зимин, 2003. - 32 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев М.А. Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. А. Абдуллаев, 2006. - 41 с. - Текст : непосредственный.Тензоэффект GaSb и JnSb и эвтектиках на их основе / М. И. Алиев, З. А. Джафаров, А. А. Халилова, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Девятов Э.В. Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Э. В. Девятов, 2013. - 34 с. - Текст : непосредственный.Тралле И.Е. Процессы переноса заряда в полупроводниках и структурах полупроводник-диэлектрик в условиях воздействия электромагнитного поля : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / И. Е. Тралле, 1996. - 32 с. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Таланцев А.Д. Ферромагнитное упорядочение и спиновая динамика в гетероструктурах AIIIBV: Mn и AIIBVI: Cr / А. Д. Таланцев, 2016. - 17 с. - Текст : непосредственный.Жиляев И.Н. Экспериментальное исследование кинетических магнитных эффектов в висмуте и алюминиевых сверхпроводящих микроструктурах : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / И. Н. Жиляев, 2001. - 27 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1347) : Эффект Холла в расплавах полупроводников : По данным отеч. и зарубеж. печати за 1965-1987 гг.ч. 2. Полупроводниковые расплавы / В.М.Глазов,В.Б.Кольцов,С.В.Сиротюк, 1988. - 49 с. - Текст : непосредственный.Тюрнев Н.В. Применение зондирующего СВЧ электромагнитного излучения для определения рекомбинационных свойств полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. В. Тюрнев, 2000. - 26 с. - Текст : непосредственный.Лифенко В.М. Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Лифенко, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽