• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Мазалов, А. В. Гетероструктуры (Al)GaN/AIN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.11.07 / А. В. Мазалов. - 2013. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-22. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    41.51.31621.384.4(043)

    Кл.слова (ненормированные): УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ФОТОПРИЕМНИКИ
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-18933)

    Шифр в сводном ЭК: 5ab9ce91df28afdcfe077b82263c43ee



    Заказ фрагмента документа ₽