Полное описание
Воронков, Э. Н.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.33
Рубрики: Транзисторы биполярные
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-02/79750)
Шифр в сводном ЭК: add512485b9b9c4676d5b540ebfcd499
Воронков Э.Н. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах, 1973. - 312 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Воронков Э.Н. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Электропроводность полупроводников : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н. Воронков, Е.В. Зенова, О.Б. Сарач, 2005. - 67 с. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Солнечная энергетика может стать одним из ключевых факторов формирования нового технологического уклада / Э. Н. Воронков. - Текст : непосредственный // Промышленная энергетика. - М. : Энергопрогресс, 2017. - № 4. - с. 48-53 Твердотельная электроника : учеб. пособие / Э. Н. Воронков [и др.], 2009. - 318 с. - Текст : непосредственный. Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный. Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern / R. Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный. Биполярные транзисторы в аналоговых электронных схемах / И.А.Селиванов,А.С.Карандаев,В.Ф.Барсуков и др., 2001. - 219 с. - Текст : непосредственный. Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный. Воронков Э.Н. Биполярные транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотел. электроника" для студентов по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный. Leistungs-Halbleiter : Leistungs-Module IGBT 2.Generation, 1995. - 341 S. - Текст : непосредственный. Библиотека электронных компонентов. Вып. 28 : Infineon: транзисторы S-IGBT, интеллектуальные ключи и мостовые драйверы, 2003. - 63 с. - Текст : непосредственный. Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный. Wijnen P.J. van On the characterization and optimization of high-speed silicon bipolar transistors : Diss. / P.J. van Wijnen, 1992. - V,265 p. p. - Текст : непосредственный. Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный. Ямпурин Н.П. Биполярные транзисторы (функционирование, схемы, применение) : Учеб.пособие / Н. П. Ямпурин, А. В. Баранова, А. Е. Вязовов, 1998. - 82 с. - Текст : непосредственный. Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - 7 c. - Текст : непосредственный. Pan Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : Diss. / Y.Pan, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Николаенков Ю.К. Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. К. Николаенков, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Корольков В.И. Гетеробиполярные транзисторы / В. И. Корольков, 1999. - 23 с. - Текст : непосредственный. Schutt R. Beanspruchungen von Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren in Pulsumrichtern / R. Schutt, 1992. - VII,139 S. S. - Текст : непосредственный. Муратчаев С.А. Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / С. А. Муратчаев, 1994. - 24 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный. Кремниевые планарные транзисторы, 1973. - 335 с. - Текст : непосредственный. Андреев А.П. Расчет биполярных транзисторов и тиристоров / А. П. Андреев, В. А. Миронов, Л. К. Чиркин, 1990. - 71 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Дроздов Д.Г. СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов / Д. Г. Дроздов, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный. Тимошенков В.П. Гетероструктурные биполярные транзисторы и интегральные схемы в технике СВЧ : монография / В. П. Тимошенков, Ю. А. Чаплыгин, 2017. - 176 с. - Текст : непосредственный. Куликов А.А. Неразрушающие методы и средства измерения напряжения шнурования тока в мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторах : специальность: 05.11.01 - Приборы и методы измерения по видам измерения (электрические измерения): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. А. Куликов, 2018. - 22 с. - Текст : непосредственный. Евсеенков А.С. Процессы фотостимуляции и электротермотренировки при обеспечении мощностных параметров светоизлучающих и транзисторных гетероструктур на основе твердых растворов (Al, Ga, In)N : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / А. С. Евсеенков, 2019. - 18 с. - Текст : непосредственный. Szynka D. Vergrabene Basiskontaktierung von selektiv epitaxierten Heterobipolartransistoren in Saulengeometrie : Diss. / D.Szynka, 1995. - 153 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
