Приложение
для AndroidПолное описание
Лисицына, Л. И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына. - Саратов, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 33-36(46 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13 | 621.385.8.002(043) | |
| 621.383.002(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР02-2259)
Шифр в сводном ЭК: 9d643304bfc4ec213ba301b1f5659cef
Определение качества бетона эксплуатируемых конструкций : учебное пособие / Н. А. Машкин, Г. И. Бердов, В. С. Баев [и др.], 2007. - 52 с. - Текст : непосредственный.Лисицына Л.И. Вакуумные и плазменные приборы : учеб. пособие. Ч. 1, 2013. - 44 с. - Текст : непосредственный.Лисицына Л.И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный.Лисицына, Л. И. Расчет и конструирование приборов отображения информации : учеб. пособие. Ч. 1, 2011. - 71 с. - Текст : непосредственный.Лисицына, Л. И. Расчет и конструирование кинескопов для черно-белого и цветного телевидения : Учеб. пособие. Ч. 1, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Чебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Казаков Н.И. Технология пайки монтажных соединений в производстве РЭА / Н. И. Казаков, В. М. Критский, 1989. - 129 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Петров В.П. Выполнение монтажа и сборки средней сложности и сложных узлов, блоков, приборов радиоэлектронной аппаратуры, аппаратуры проводной связи, элементов узлов импульсной и вычислительной техники. Практикум : выставочные материалы / В. П. Петров, 2014. - 173 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Зоркин А.Я. Формирование вакуумных и эмиссионных параметров электронных приборов : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Я. Зоркин, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мастеров Д.В. Магнетронное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2CuзO7- для применений в пассивных высокочастотных устройствах / Д. В. Мастеров, 2009. - 22 с. - Текст : непосредственный.Назаров А.А. Проектирование тестовых схем для аттестации технологичесчких процессов производства СБИС : специальность 05.27.05 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. А. Назаров, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Поляхов М.Ю. Разработка способа, аппаратных и программных средств контроля электропроводимости и качества металлизации отверстий печатных плат : специальность 05.11.01 "Приборы и методы измерения (по видам измерений) ", 05.11.13 "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. Ю. Поляхов, 2001. - 22 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Семенов Ю.Г. Контроль качества / Ю. Г. Семенов, 1990. - 111 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыГиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Грицкевич О.В. Исследования процессов формирования изображений произвольной геометрической формы и размеров на криволинейных поверхностях вращения с использованием лазерного излучения : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / О. В. Грицкевич, 1995. - 22 с. - Текст : непосредственный.Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Петров Ю.В. Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Петров, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Васильев В.И. Особенности эпитаксиального роста твердых растворов GaZnAsSb и AlGaAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Васильев, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мустафаева Д.Г. Оптимизация технологии полупроводниковых пленочных преобразователей и повышение эффективности их производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Д. Г. Мустафаева, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный.Менделева Ю.А. Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. А. Менделева, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Стратейчук Д.М. Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS 1-xSex : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Стратейчук, 2008. - 24 с. - Текст : непосредственный.Сахарова Т.В. Формирование гетероструктур InAs Sb B1 /InSb методом жидкофазной эпитаксии для фотоприемных устройств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Т. В. Сахарова, 1994. - 22 с. - Текст : непосредственный.Микаева С.А. Исследование и разработка технологии производства нового поколения люминесцентных ртутьсодержащих приборов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.11.14 / С. А. Микаева, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Красовицкий Д.М. Закономерности пиролиза аммиакатов трихлоридов галлия и индия в процессе осаждения слоев GaN, InN In Ga N : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 05.27.06 / Д. М. Красовицкий, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яблочкина Г.И. Оптимизация технологии процессов получения буферных слоев и защитных покрытий для фотоприемников на основе фосфида индия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. И. Яблочкина, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лисицына Л.И. Повышение технологического уровня производства электронно-лучевых и фотоэлектронных приборов на основе новых физико-технологических решений : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.27.02 / Л. И. Лисицына, 2000. - 36 с. - Текст : непосредственный.Армягова О.П. Исследование условий и разработка технологии получения эпитаксиальных структур антимонида индия для многоэлементных фотоприемников : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / О. П. Армягова, 1996. - 21 с. - Текст : непосредственный.Лунина М.Л. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов А В, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / М. Л. Лунина, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Подщипков Д.Г. Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Д. Г. Подщипков, 2009. - 20 с. - Текст : непосредственный.Письменский М.В. Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Письменский, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Якорев С.Н. Элементы технологии формирования реальных поверхностей и границ рахдела в серийном производстве оптоэлектронных приборов на основе GaAs-AlGaAs : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / С. Н. Якорев, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А В : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / И. А. Сысоев, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Шкляев А.А. Поверхностные процессы при формировании плотных массивов и одиночных наноструктур германия и кремния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Шкляев, 2007. - 33 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽