Приложение
для AndroidПолное описание
Материаловедение халькогенидных полупроводников : тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". - Черновцы : [б. и.], 19 - . - В надзаг.:АН СССР,Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения" и "Люминесценция и развитие ее применения в нар.хоз-ве",Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева АН СССР,Черновиц.гос.ун-т им.Ю.Федьковича,ЧГУ. - Текст : непосредственный.
Т. 2. - Черновцы : [б. и.], 1991. - 278 с. : ил. - 380 экз.
Библиогр.в конце отд.докл.Авт.указ.:с.245-259
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592(063) |
Рубрики:
Полупроводники -- Съезды и конференции
Доп. точки доступа:
АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения"
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/50194/2)
Шифр в сводном ЭК: 53f174d9f26289519511dcf5122fdc40
Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 1, 1991. - 269 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 2, 1991. - 278 с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.
Юбилейные 60-е Дни науки студентов : Сб. тезисов докл. / Московский ин-т стали и сплавов, Дни науки студентов(60;2005), 2005. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2008 : тез. докл. V междунар. конф. и IV шк. молодых ученых и специалистов по актуал. проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний-2008", Черноголовка, 1-4 июля 2008 г. / Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (Москва), 2008. - 274 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 1, 1991. - 269 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение халькогенидных полупроводников : Тез.докл.Третьей Всесоюз.науч.-техн.конф.(окт.1991 г.) / АН СССР. Науч.совет"Физ.-хим.основы полупроводникового материаловедения". Т. 2, 1991. - 278 с. - Текст : непосредственный.Semi-insulating III-V materials : Proc.of the 5th conf. on semi-insulating III-V materials, held in Malm@:o, 1-3, Jun. 1988 / Ed.: G. Grossmann, L. Ledebo, 1988. - XVI,601 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings of the symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices, New York, 1988 / Symposium on diagnostic techniques for semiconductor materials and devices (1988 ; New York) , 1988. - VI,289 p. p. - Текст : непосредственный.HeteroSiC & WASMPE 2011 : sel., peer rev. papers from the 4th workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (HeteroSiC & WASMPE 2011), Jun. 27-30, 2011, Tours, France / Workshop on advanced semiconductor materials and devices for power electronics applications (4; 2011; Tours), 2012 r=on-line. - Текст : электронный.VIII Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий : Тез. докл.,Ташкент, ноябрь, 1991 г. / Координационное совещание по исследованию и применению сплавов кремний-германий (8 ; 1991 ; Ташкент) , 1991. - 92 с. - Текст : непосредственный.Физико-химические основы получения и исследования полупроводниковых материалов в твердом и жидком состоянии : Тез. докл. 2 респ. науч.-техн. конф. с участием ведущих ученых СНГ, Республика Таджикистан, г. Куляб, 25-28 ноября 1992 г. / Кулябский гос. ун-т, 1992. - 102 с. - Текст : непосредственный.Sub-quarter-micron silicon issues in the 200/300 mm conversion Era: Proc.of the E-MRS IUMRS ICEM 2000 meet., Symp.L / Ed. H. FuSstetter, 2001. - VII, 232 p. 232 p. - Текст : непосредственный.Key engineering materials. Vol. 459 : Silicon science and advanced micro-device engineering I : sel., peer rev. papers from the 5th Intern. symp. on silicon science and the 1st Intern. conf. on advanced micro-device eng. (ISSS & Amde 2009), was held by the Intern. education and research center for silicon science and the advanced technology research center (ATEC), Gunma Univ. on 10 and 11 Dec. 2009 in Kiryu, Japan / International symposium on silicon science (5th; 2009; Kiryu); International conference on advanced micro-device engineering (1st; 2009; Kiryu), 2011. - XII, 282 p. - Текст : непосредственный.Program and Summaries / International Symposium on Compound Semiconductors (23 ; 1996 ; St.Petersburg) , 1996. - 134 с. - Текст : непосредственный.VIII всесоюзное координационное совещание "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5" : Тез. докл. / "Материаловедение полупроводниковых соединений группы А 2В 5",всесоюзное координационное совещ. (8 ; 1990 ; Черновцы) , 1990. - 139 с. - Текст : непосредственный.Semiconductor silicon: materials science and technology : Proc.of the summer school,Erice,July 3-15,1988, 1989. - IX,345 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽