Приложение
для AndroidПолное описание
Роль поверхности в поведении радиационных дефектов в кремнии при отжиге / В.А.Буренков,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.Р.Челядинский. - Дубна : [б. и.], 2000. - 8 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Р14-2000-106). - 290 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.002(04) |
Рубрики:
Кремний -- Отжиг
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ -- ОТЖИГ
Доп. точки доступа:
Буренков, В.А.
Вариченко, В.С.
Дидык, А.Ю.
Челядинский, А.Р.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Р14-2000-106)
Шифр в сводном ЭК: 95c1e9fbbdef29f0af391be7c5b27361
Дидык А.Ю. Синтез микрочастиц в молекулярном водороде при давлении 1 КБАР в ядерных реакциях под действием тормозных v-квантов с пороговой энергией 10 МэВ. Химический состав и структуры на внутренних поверхностях компонентов камеры высокого давления / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 40 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Химический состав и структура синтезированных частиц на поверхности ННРС при ядерных реакциях при облучении тормозными v-квантами с пороговой энергией 10 МЭВ в молекулярном водороде при давлении 0.5 КБАР / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 23с. - Текст : непосредственный.Влияние облучения тяжелыми ионами высоких энергий на структурные изменения в аморфных сплавах / А. Ю. Дидык, Л. И. Иванов, В. К. Семина, А. Л. Суворов, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный.Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Аналитическое сравнение эффектов непрерывного и импульсного воздействия ионного пучка при облучении металлов / А. Ю. Дидык, В. А. Кузьмин, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Синтез новых структур, образованных в результате ядерных реакций HHPC с давлением водорода 3,4 кбар, при облучении тормозными γ-квантами с пороговой энергией 10 МэВ / А. Ю. Дидык, Р. Вишневски, 2015. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Голубок Д.С. Расчет дозы повреждений в аморфном сплаве Fe Ni Si B, облученном нейтронами в реакторе ИБР / Д. С. Голубок, А. Ю. Дидык, А. Хофман, 2007. - 11 с. - Текст : непосредственный.Исследование температурных эффектов в модели термического пика в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами Kr и Bi высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный.Применение нелинейной модели термического пика для расчета температурных эффектов в двухслойных структурах при облучении их тяжелыми ионами высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Структура (,n)-сечения на Pr / С. Н. Беляев, О. В. Васильев, В. В. Воронов, 1995. - 7 c. - Текст : непосредственный.Захарьев Б.Н. Прозрачные возмущения периодических квантовых систем (неожиданная инверсия исходного потенциала) / Б. Н. Захарьев, В. М. Чабанов, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.The setup to investigate rare processes with neutron producing / V. M. Bystrisky, N. I. Zhuravlev, S. I. Merzlyakov, 1995. - 12 p. - Текст : непосредственный.Maximum entropy technique in the doublet structure analysis / B. Z. Belashev, Yu. A. Panebratsev, E. I. Shahaliv, L. M. Soroko, 1998. - 22 p. - Текст : непосредственный.Анализ характеристик -мезонов и протонов в AC-взаимодействиях при импульсе p=4,2 ГэВ/с на нуклон в рамках модели Fritiof / Ц. Баатар, А. И. Бондаренко, Р. А. Бондаренко, 1999. - 12 с. - Текст : непосредственный.Jones H.F. Analytic properties of and decay / H. F. Jones, И. Л. Соловцов, 1995. - 8 p. - Текст : непосредственный.Lambiase G. Quark mass correction to the string potential / G. Lambiase, V. V. Nesterenko, 1995. - 34 p. - Текст : непосредственный.Картавцев О.И. Variational calculation of antiprotonic helium atoms / О. И. Картавцев, 1995. - 15 p. - Текст : непосредственный.Токарев Ь.В. On polarization mechanism in inclusive meson production and asymmetry sign rule / Ь. В. Токарев, G. P. Skoro, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.Измерение отношения парциальных ширин распадов очарованных частиц и D, 1993. - 15 c. - Текст : непосредственный.Попов А.К. Оценка импульсной переходной характеристики мощностной обратной связи реактора ИБР-2 частотным методом / А. К. Попов, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Алгоритм и программа моделирования поля магнитной системы спектрометра СТОРС / Е. П. Жидков, Р. С. Егикян, Л. А. Меркулов, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов А.Б. Анализ экспериментов по реакции сверхтекучего гелия на импульсные тепловые потоки большой длительности / А. Б. Кузнецов, 1992. - 11 с. - Текст : непосредственный.Дубовик В.М. Перемагничение агрегатов магнитных частиц вихревым полем и использование тороидности для записи информации / В. М. Дубовик, М. А. Марценюк, Н. М. Марценюк, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. Работа с русскоязычными текстами на ЭВМ типа VAX / В. В. Галактионов, 1993. - 10 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. GALAXY - интерактивная система обслуживания файлов и процессов в ОС VMS / В. В. Галактионов, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. Системонезависимый экранный редактор текстов Vega / В. В. Галактионов, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный.Черепанов Е.А. The analysis of reactions leading to synthesis of superheavy elements within the dinuclear system concept / Е. А. Черепанов, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный.Лазерный ионизационный спектрометр на пучке заряженных частиц циклотрона / Ю. П. Гангрский, Ч. Градечны, В. И. Жеменик, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный.Асланян П.Ж. Observation of candidates for heavy positively charged S= -2H dibaryon with a wear decay channel H / П. Ж. Асланян, V. N. Emelyanenko, V. S. Rikhvitzkiy, 2001. - 26 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМикроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Роль поверхности в поведении радиационных дефектов в кремнии при отжиге / В.А.Буренков,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.Р.Челядинский, 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Гольдштейн Р.В. Экструзия малопластичных термоэлектрических полупроводников в условиях высокого гидростатического давления / Р.В.Гольдштейн,Н.А.Сидоренко, 2000. - 32 с. - Текст : непосредственный.Использование аномального тлеющего разряда для спазмохимической обработки кремния / Г.С.Кириченко,К.Л.Кругляков,С.Н.Павлов,В.М.Слободян, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Распределение дефектов в кремнии, подвергнутом терморадиационной обработке / А.З.Ильясов,О.П.Канушина,Ш.М.Малахов и др., 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽