Полное описание
Рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии, имплантированном ионами бора с энергией 92 МэВ / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.М.Зайцев и др. - Дубна : [б. и.], 2000. - 8 с. : ил. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Р14-2000-105). - 290 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592.002:669(04)
Рубрики: Кремний -- Ионное внедрение
Кл.слова (ненормированные): ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ -- КРЕМНИЙ
Доп. точки доступа: Вариченко, В.С.
Дидык, А.Ю.
Зайцев, А.М.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Р14-2000-105)
Шифр в сводном ЭК: 4db51eeaf7d88280a3c6050f7337339e
Дидык А.Ю. Синтез микрочастиц в молекулярном водороде при давлении 1 КБАР в ядерных реакциях под действием тормозных v-квантов с пороговой энергией 10 МэВ. Химический состав и структуры на внутренних поверхностях компонентов камеры высокого давления / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 40 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Химический состав и структура синтезированных частиц на поверхности ННРС при ядерных реакциях при облучении тормозными v-квантами с пороговой энергией 10 МЭВ в молекулярном водороде при давлении 0.5 КБАР / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 23с. - Текст : непосредственный. Влияние облучения тяжелыми ионами высоких энергий на структурные изменения в аморфных сплавах / А. Ю. Дидык, Л. И. Иванов, В. К. Семина, А. Л. Суворов, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный. Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Аналитическое сравнение эффектов непрерывного и импульсного воздействия ионного пучка при облучении металлов / А. Ю. Дидык, В. А. Кузьмин, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Синтез новых структур, образованных в результате ядерных реакций HHPC с давлением водорода 3,4 кбар, при облучении тормозными γ-квантами с пороговой энергией 10 МэВ / А. Ю. Дидык, Р. Вишневски, 2015. - 27 с. - Текст : непосредственный. Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный. Голубок Д.С. Расчет дозы повреждений в аморфном сплаве Fe Ni Si B, облученном нейтронами в реакторе ИБР / Д. С. Голубок, А. Ю. Дидык, А. Хофман, 2007. - 11 с. - Текст : непосредственный. Исследование температурных эффектов в модели термического пика в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами Kr и Bi высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный. Применение нелинейной модели термического пика для расчета температурных эффектов в двухслойных структурах при облучении их тяжелыми ионами высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Структура (,n)-сечения на Pr / С. Н. Беляев, О. В. Васильев, В. В. Воронов, 1995. - 7 c. - Текст : непосредственный. Захарьев Б.Н. Прозрачные возмущения периодических квантовых систем (неожиданная инверсия исходного потенциала) / Б. Н. Захарьев, В. М. Чабанов, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. The setup to investigate rare processes with neutron producing / V. M. Bystrisky, N. I. Zhuravlev, S. I. Merzlyakov, 1995. - 12 p. - Текст : непосредственный. Maximum entropy technique in the doublet structure analysis / B. Z. Belashev, Yu. A. Panebratsev, E. I. Shahaliv, L. M. Soroko, 1998. - 22 p. - Текст : непосредственный. Анализ характеристик -мезонов и протонов в AC-взаимодействиях при импульсе p=4,2 ГэВ/с на нуклон в рамках модели Fritiof / Ц. Баатар, А. И. Бондаренко, Р. А. Бондаренко, 1999. - 12 с. - Текст : непосредственный. Jones H.F. Analytic properties of and decay / H. F. Jones, И. Л. Соловцов, 1995. - 8 p. - Текст : непосредственный. Lambiase G. Quark mass correction to the string potential / G. Lambiase, V. V. Nesterenko, 1995. - 34 p. - Текст : непосредственный. Картавцев О.И. Variational calculation of antiprotonic helium atoms / О. И. Картавцев, 1995. - 15 p. - Текст : непосредственный. Токарев Ь.В. On polarization mechanism in inclusive meson production and asymmetry sign rule / Ь. В. Токарев, G. P. Skoro, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный. Измерение отношения парциальных ширин распадов очарованных частиц и D, 1993. - 15 c. - Текст : непосредственный. Попов А.К. Оценка импульсной переходной характеристики мощностной обратной связи реактора ИБР-2 частотным методом / А. К. Попов, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Алгоритм и программа моделирования поля магнитной системы спектрометра СТОРС / Е. П. Жидков, Р. С. Егикян, Л. А. Меркулов, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов А.Б. Анализ экспериментов по реакции сверхтекучего гелия на импульсные тепловые потоки большой длительности / А. Б. Кузнецов, 1992. - 11 с. - Текст : непосредственный. Дубовик В.М. Перемагничение агрегатов магнитных частиц вихревым полем и использование тороидности для записи информации / В. М. Дубовик, М. А. Марценюк, Н. М. Марценюк, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. Работа с русскоязычными текстами на ЭВМ типа VAX / В. В. Галактионов, 1993. - 10 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. GALAXY - интерактивная система обслуживания файлов и процессов в ОС VMS / В. В. Галактионов, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный. Галактионов В.В. Системонезависимый экранный редактор текстов Vega / В. В. Галактионов, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный. Черепанов Е.А. The analysis of reactions leading to synthesis of superheavy elements within the dinuclear system concept / Е. А. Черепанов, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный. Лазерный ионизационный спектрометр на пучке заряженных частиц циклотрона / Ю. П. Гангрский, Ч. Градечны, В. И. Жеменик, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный. Асланян П.Ж. Observation of candidates for heavy positively charged S= -2H dibaryon with a wear decay channel H / П. Ж. Асланян, V. N. Emelyanenko, V. S. Rikhvitzkiy, 2001. - 26 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный. Установка для промышленного легирования кремния тепловыми нейтронами на пучке N3 реактора ИБР-2 / В.В.Голиков,В.Л.Камионский,Е.Н.Кулагин и др., 1994. - 20 c. - Текст : непосредственный. Особенности дефектообразования в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,Н.М.Казючиц,А.Р.Челядинский, 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии, имплантированном ионами бора с энергией 92 МэВ / В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык,А.М.Зайцев и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.Г. Влияние легирования и интеркалирования на свойства халькогенидов висмута / А. Г. Абдуллаев, Э. И. Велиюлин, С. Ш. Кахраманов, 1991. - 54 с. - Текст : непосредственный. Электрическая активность имплантированных ионами инертных газов слоев кремния, обусловленная примесью кислорода / Н.М.Казючиц,В.С.Вариченко,А.Ю.Дидык и др., 1996. - 10 с. - Текст : непосредственный. Захаров А.Г. СВЧ-фотопроводимость ионно-облученного алмаза / А. Г. Захаров, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 8 с. - Текст : непосредственный. Исследование явления термической десорбции Не из образцов дефектного кремния / М. Турек [и др.], 2015. - 8 с. - Текст : непосредственный. Филипп А.Р. Особенности распределения дефектов и примеси в приповерхностном слое алмаза, облученного ионами высоких энергий / А. Р. Филипп, В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, 1997. - 7 с. - Текст : непосредственный. Степанова М.Г. Образование диссипативных структур в кремнии, имплантированном бором / М. Г. Степанова, А. Б. Потапов, Г. Г. Малинецкий, 1997. - 25 с. - Текст : непосредственный. Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия / И.А.Бобровникова,М.Д.Вилисова,Л.Г.Лаврентьева,М.П.Рузайкин, 1990. - 31 с. - Текст : непосредственный. Реутов В.Ф. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный. Начальные скорости изменения концентрации и подвижности в сильнолегированном кремнии, облученном низкоэнергетическими частицами / В.Л.Литвинов,А.Л.Очеретянский,В.М.Стучебников и др., 1989. - 21 c. - Текст : непосредственный. Скобочкин А.М. Структурная диагностика поверхностей с использованием вейвлетов / А.М.Скобочкин,В.Д.Левченко, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный. Соболев Н.А. Neutron transmutation doping of silicon by magnesium / Н. А. Соболев, E. I. Shek, E. P. Shabalin, 1993. - 9 p. - Текст : непосредственный. Термодесорбция аргона, имплантированного в германий / М. Турек, К. Пышняк, А. Дроздзель, Ю. А. Ваганов, 2019. - 10, [1] с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
