Полное описание
> Стецюра, С. В. Технология и применение гетерогенных структур на основе сульфоселенидов кадмия / С. В. Стецюра, И. В. Маляр, С. Б. Вениг. - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2013. - 191 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - 100 экз. - ISBN 978-5-292-04211-2. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09 | 621.3.049.76-03 |
Рубрики:
Микроэлектронные приборы -- Материалы
Доп. точки доступа:
Маляр, И.В.
Вениг, С.Б.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-13/5218)>
Шифр в сводном ЭК: 535d75692e6b8bf7f202736a402edce8
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Азаматов З.Т. Дефекты в материалах квантовой электроники / З. Т. Азаматов, З. Т. Азаматов, П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров ; Ред. М. Т. Шпак, 1991. - 259 c. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Журавлева Л.В. Электроматериаловедение : учебное пособие / Л. В. Журавлева, 2008. - 351 с. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Hennemann O.-D. Handbuch Fertigungstechnologie Kleben : монография / O.-D. Hennemann, W. Brockmann, H. Kollek, 1992. - XIII,768 S. S. - Текст : непосредственный.Силкин Н.И. Оптическая и ЭПР-спектроскопия материалов квантовой электроники и нелинейной оптики на основе кристаллов фторидов, семейств дигидрофосфата и сульфата калия : специальность 01.04.05 "Оптика", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н. И. Силкин, 2009. - 40 с. - Текст : непосредственный.Протасова Л.Г. Физико-химические основы формирования структуры и свойств стекол Se Sy, Se S Me и Se S Me (Me=As, Sb, Ge) для оптоэлектроники : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. Г. Протасова, 2002. - 42 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Смоликов А.А. Наноматериалы : разговорник / А. А. Смоликов, 2006. - 83 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 126 : Physics of laser crystals : Proc. of the NATO advanced research workshop on physics of laser crystals, Kharkiv-Stary Saltov, Ukraine, 26 Aug. - 2 Sept., 2002 / NATO advanced research workshop on physics of laser crystals (2002; Kharkiv), 2003. - XIV,255 p. p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.А. Комплексы редкоземельных металлов с гетероциклическими лигандами для органических светоизлучающих диодов / В. А. Ильичев, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Лямин А.Н. Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины / А. Н. Лямин, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТехнология материалов микро- и наноэлектроники / Л. В. Кожитов, С. Г. Емельянов, В. Г. Косушкин [и др.], 2012. - 861 с. - Текст : непосредственный.Методология научных исследований материалов нано- и микроэлектроники: повышение эффективности исследований : выставочные материалы / Е. А. Печерская, Ю. А. Вареник, В. А. Соловьев, Ю. В. Аношкин ; Ред. Р. М. Печерская, 2012. - 261 с. - Текст : непосредственный.Васильева Г.Ю. Энергетический спектр электронов и элементарные процессы на поверхности ионных и ионно-ковалентных кристаллов с дефектами / Г. Ю. Васильева, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Технология материалов микроэлектроники: от минерального сырья к монокристаллу : учебное пособие / Д. Д. Авров, О. А. Александрова, А. О. Лебедев [и др.], 2017. - 145 с. - Текст : непосредственный.Нанотехнологии в микро- и наноэлектронике: получение, исследование, моделирование : учебное пособие / И. А. Аверин [и др.]; под редакцией И. А. Аверина, В. А. Мошникова, 2018. - 78 с. - Текст : непосредственный.Технология материалов микроэлектроники : учебное пособие / Л. В. Кожитов [и др.], 2018. - 215 с. - Текст : непосредственный.Наноструктурные оксидные материалы в современной микро-, нано- и оптоэлектронике / О. А. Александрова, А. А. Бобков, А. И. Максимов [и др.]; под редакцией В. А. Мошникова, О. А. Александровой, 2017. - 265 с. - Текст : непосредственный.Zinc oxide - a material for micro- and optoelectronic applications / ed. N. H. Nickel, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Михеев В.А. Обеспечение качества новых функциональных материалов для теплопроводящих покрытий на стадии разработки и производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.23 / В. А. Михеев, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Kesmarszky T. Synthese und optische Eigenschaften von endstanding substituierten konjugierten Polyenen mit integrierter Bicyclo[2.2.2]octan-Einheit : Diss. / T.Kesmarszky, 1990. - 186 S. - Текст : непосредственный.Савенко О.В. Влияние кинетических эффектов на электрические и гальваномагнитные свойства тонких проводящих пленок и проволок : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / О. В. Савенко, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный.Стецюра С.В. Технология и применение гетерогенных структур на основе сульфоселенидов кадмия / С. В. Стецюра, И. В. Маляр, С. Б. Вениг, 2013. - 191 с. - Текст : непосредственный.Жигалина О.М. Материалы микроэлектроники: тонкие пленки для интегрированных устройств : учеб. пособие / О. М. Жигалина, 2017. - 121 с. - Текст : непосредственный.Казаков В.Д. Материалы микро-, опто- и наноэлектроники : учеб. пособие / В. Д. Казаков, 2011. - 141 с. - Текст : непосредственный.Бортников С.Г. Пространственно-временная нестабильность протекания тока в пленках диоксида ванадия вблизи фазового перехода полупроводник-металл : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. Г. Бортников, 2016. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽