Полное описание
Семухин, Б. С.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592.9(043) 45.09.37 621.315.61(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР98-2251)
Шифр в сводном ЭК: 942fdbc54d182b10a2b0666fd5f128d5
Семухин Б.С. Основы технологии контроля деталей и конструкций при эксплуатации по вариациям скорости ультразвука : специальность 05.11.13 "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Б. С. Семухин, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Семухин Б.С. Блочная структура кристаллов и ее модулирование в тонком протонированном слое : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук:01.04.10 / Б. С. Семухин, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Семухин Б.С. Фазовые переходы порядок-беспорядок и направление смещения атомов в сверхструктурах состава АВ : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Б. С. Семухин, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный. Атаулов Р.В. Анализ эффективности работы шумозащитных экранов в городе Томске (ТГАСУ, г. Томск) / Р. В. Атаулов, Б. С. Семухин. - Текст : непосредственный // Вестник Томского государственного архитектурно-строительного университета. - Томск : ТГАСУ, 2018. - № 2. - с. 115-123 Семухин Б.С. Материаловедческие основы акустической диагностики деталей и конструкций в процессе их эксплуатации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.02.01 / Б. С. Семухин, 2001. - 39 с. - Текст : непосредственный. Семухин Б.С. Безопасность зданий, сооружений, инженерных коммуникаций и их мониторинг : учеб. пособие / Б. С. Семухин, 2011. - 149 с. - Текст : непосредственный. Получение пористого теплоизоляционного материала из хвостов обогащения медной руды / О. В. Казьмина, А. П. Семке, И. В. Беляева, Б. С. Семухин. - Текст : непосредственный // Вестник Томского государственного архитектурно-строительного университета. - Томск : Том. гос. архит.-строит. ун-т, 2019. - Т. 21 № 1. - с. 159-168 Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Новоселов К.П. Математическое моделирование процесса осаждения нитрида кремния из дихлоросилана и аммиака : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. П. Новоселов, 2000. - 14 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Петрова В.З. Методы получения тонких диэлектрических пленок для целей микроэлектроники и исследование их состава и структуры / В. З. Петрова, Н. И. Кошелев, А. И. Ермолаева, 1994. - 96 c. - Текст : непосредственный. Паянен Р.И. Исследование и разработка регенеративных циклов на элегазе / Р. И. Паянен, 2015. - 20 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Михеев Г.М. Трансформаторное масло : выставочные материалы / Г. М. Михеев, 2012. - 156 с. - Текст : непосредственный. Materials science foundations. Vol. 39 : Maxwell stresses and dielectric materials / G. Kloos, 2008. - VIII, 105 p. - Текст : непосредственный. Сорокин И.Н. Диэлектрические пленки в полупроводниковой электронике / И. Н. Сорокин, М. В. Акуленок, 1995. - 116 c. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Кан К.Н. Механическая прочность эпоксидной изоляции, 1973. - 151 с. - Текст : непосредственный. Панькова С.В. Создание композиционных материалов на основе регулярных пористых матриц опалов и цеолитов и исследование их диэлектрических свойств : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Панькова, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный. Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный. Захарова А.А. Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Захарова, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный. Грунин А.Б. Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Б. Грунин, 2002. - 27 с. - Текст : непосредственный. Стефюк Ю.В. Электродинамические свойства металлодиэлектрических и фотонно-кристаллических структур: моделирование на основе интегральных уравнений и итерационных методов / Ю. В. Стефюк, 2012. - 21 с. - Текст : непосредственный. Хабибуллин Р.А. Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием / Р. А. Хабибуллин, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Давыдов В.Ю. Оптические исследования полупроводниковых структур на основе нитридов металлов III группы и разработка количественных методик их диагностики : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ю. Давыдов, 2009. - 34 с. - Текст : непосредственный. Лоскутов С.А. Релаксация зарядового состояния структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. А. Лоскутов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный. Макаров А.Г. Квантовые точки I и II типа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Макаров, 2004. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дайнека Д.В. Электронные свойства границ раздела Cs/Si и Ba/Si при субмонослойных покрытиях : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Дайнека, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Кулик Л.В. Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Кулик, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный. Берил С.И. Исследование состояний электрон-фононных и электрон-дырочно-фононных систем на контакте двух сред,в многослойных структурах и в сверхрешетках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. И. Берил, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный. Панькова С.В. Создание композиционных материалов на основе регулярных пористых матриц опалов и цеолитов и исследование их диэлектрических свойств : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Панькова, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Рудаков В.И. Неизотермические процессы в системах на основе кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. И. Рудаков, 1998. - 35 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
