Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМедведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Алалыкин А.С. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Алалыкин, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.Скаляух О.В. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Скаляух, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Штанько В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ф. Штанько, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Коротаев А.Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах H Cd Te ядернофизическими методами : специальность 01.40.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Коротаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Назаркин И.В. Электронные свойства неупорядоченных систем на основе n-Ge и YBaCuO-керамики, компенсированных облучением быстрыми нейтронами реактора : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / И. В. Назаркин, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный.Козодаев М.А. Сканирующая зондовая микроскопия радиационных эффектов на поверхности графита и кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.07 / М. А. Козодаев, 2001. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽