Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Азаматов З.Т. Дефекты в материалах квантовой электроники / З. Т. Азаматов, З. Т. Азаматов, П. А. Арсеньев, Х. С. Багдасаров ; Ред. М. Т. Шпак, 1991. - 259 c. - Текст : непосредственный.Журнал функциональных материалов : Ежемес. научно-технический журн. - Журнал выходит с 2007г. - Текст : непосредственный.Журавлева Л.В. Электроматериаловедение : учебное пособие / Л. В. Журавлева, 2008. - 351 с. - Текст : непосредственный.Перспективные материалы для электроники нового поколения : сборник научных трудов / Ред. Ю. М. Таиров, 1993. - 88 с. - Текст : непосредственный.Hennemann O.-D. Handbuch Fertigungstechnologie Kleben : монография / O.-D. Hennemann, W. Brockmann, H. Kollek, 1992. - XIII,768 S. S. - Текст : непосредственный.Силкин Н.И. Оптическая и ЭПР-спектроскопия материалов квантовой электроники и нелинейной оптики на основе кристаллов фторидов, семейств дигидрофосфата и сульфата калия : специальность 01.04.05 "Оптика", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Н. И. Силкин, 2009. - 40 с. - Текст : непосредственный.Протасова Л.Г. Физико-химические основы формирования структуры и свойств стекол Se Sy, Se S Me и Se S Me (Me=As, Sb, Ge) для оптоэлектроники : специальность 05.17.11 "Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Л. Г. Протасова, 2002. - 42 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Фурса Т.В. Механоэлектрические преобразования в композиционных диэлектрических материалах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / Т. В. Фурса, 2006. - 36 с. - Текст : непосредственный.Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин, 2001. - 367 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный.Смоликов А.А. Наноматериалы : разговорник / А. А. Смоликов, 2006. - 83 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 126 : Physics of laser crystals : Proc. of the NATO advanced research workshop on physics of laser crystals, Kharkiv-Stary Saltov, Ukraine, 26 Aug. - 2 Sept., 2002 / NATO advanced research workshop on physics of laser crystals (2002; Kharkiv), 2003. - XIV,255 p. p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.А. Комплексы редкоземельных металлов с гетероциклическими лигандами для органических светоизлучающих диодов / В. А. Ильичев, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Лямин А.Н. Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины / А. Н. Лямин, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАнтонов В.А. Новые материалы для электроники и энергетики на основе соединений двойных и тройных оксидных систем : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / В. А. Антонов, 1991. - 35 с. - Текст : непосредственный.Мельник Ю.В. Разработка и исследование оптимальных режимов монокристаллического роста нитрида алюминия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Ю. В. Мельник, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный.Жуков С.С. Электронное строение и энергетический спектр одноэлектронных состояний ионно-ковалентных твердых тел с локальными дефектами : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Жуков, 2004. - 18 c. - Текст : непосредственный.Сергеев В.С. Использование методов термического анализа для разработки высокотемпературных материалов / В. С. Сергеев, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Wurthner F.A. Darstellung und optische Eigenschaften Donor-Akzeptor-substituierter Oligothiophene / F. A. Wurthner, 1993. - 254 S. - Текст : непосредственный.
Луговская Л.А. Рентгенографическое исследование структурных изменений в анодном аморфном окисле вольфрама при электрохромном эффекте : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Л. А. Луговская, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Коновалов А.А. Высокочастотная перестраиваемая ЭПР спектроскопия синтетического форстерита, легированного некрамерсовыми редкоземельными ионами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.11 / А. А. Коновалов, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Альтудов Ю.К. Обеспечение заданных поверхностных свойств материалов электронной техники на базе импульсных процессов обработки жидкими реагентами и ионами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.01 / Ю. К. Альтудов, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Бондарь Е.А. Электромагнитные свойства малых металлических частиц : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.13 / Е. А. Бондарь, 1997. - 32 с. - Текст : непосредственный.Молдажанова Г.Т. Кристаллизация дигидрофосфата калия из растворов нестехиометрического состава : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / Г. Т. Молдажанова, 1994. - 15 с. - Текст : непосредственный.Киселева Н.Н. Компьютерное конструирование неорганических соединений, перспективных для применения в электронике, с использованием баз данных и методов искусственного интеллекта : автореф. дис. .. д-ра хим. наук: 02.00.21 / Н. Н. Киселева, 2004. - 48 с. - Текст : непосредственный.Титов В.А. Методологические и методические аспекты информационного обеспечения термодинамических расчетов в материаловедческих задачах электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.04 / В. А. Титов, 1994. - 43 с. - Текст : непосредственный.Орлов В.М. Исследование и разработка материалов на основе тантала и ниобия для электронной техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.16.03 / В. М. Орлов, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный.Четвергов М.В. Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.06 / М. В. Четвергов, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Минаев В.С. Физико-химические основы прогнозирования,синтез,свойства и технология новых некристаллических материалов электронной техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук в форме науч.докл.:02.00.04 / В. С. Минаев, 1993. - 52 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽