Полное описание
Марков, В. Ф. ISBN 5-7691-1766-4. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592-416
Рубрики: Металлы, сульфиды, пленки
Доп. точки доступа: Маскаева, Л.Н.
Иванов, П.Н.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-06/30778)
Шифр в сводном ЭК: 3d0fe163c93f774049b80987dc31a221
Физическая химия: теория и практика выполнения расчетных работ : учеб. пособие : в 2 ч. / Е. И. Степановских [и др.] ; Урал. федер. ун-т им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, Хим.-технол. ин-т. Ч. 2 : Химическое и фазовое равновесие, 2016. - 157 с. - Текст : непосредственный. Иванов П.Н. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов: фрактально-кластерный механизм роста, роль анионов, размерный эффект : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / П. Н. Иванов, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов : рекомендовано методсоветом ВУЗа / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Н. А. Форостяная ; ред. В. Ф. Маркова, 2017. - 281 с. - Текст : электронный. Иканина Е.В. Основы ресурсосбережения в химической технологии : рекомендовано методсоветом ВУЗа / Е. В. Иканина, В. Ф. Марков, 2017. - 99 с. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Водные растворы: аномалии поведения / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, 2017. - 292, [1] с. - Текст : непосредственный. Степановских Е.И. Химическая кинетика: решение задач : учебно-методическое пособие / Е. И. Степановских, Т. В. Виноградова, Л. А. Брусницына; [научный редактор В. Ф. Марков], 2019. - 175 с. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Физико-химические основы развития и тушения пожаров : учебник / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, С. Н. Пазникова, 2013. - 304 с. - Текст : непосредственный. Иванов П.Н. Трансформационные процессы в хозяйственной системе России как фактор становления экономики нового типа : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.01 / П. Н. Иванов, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Материалы современной электроники : учеб. пособие / В. Ф. Марков, Х. Н. Мухамедзянов, Л. Н. Маскаева, 2014. - 268 с. - Текст : электронный. Технология химического осаждения пленок халькогенидов металлов : учебное пособие / Л. Н. Маскаева [и др.], 2018. - 129, [3] с. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, П. Н. Иванов, 2006. - 217 с. - Текст : непосредственный. Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук: 02.00.04 / В. Ф. Марков, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный. Степановских Е.И. Химическая термодинамика в вопросах и ответах; учеб. пособие / Е. И. Степановских, Л. А. Брусницына, Л. Н. Маскаева, 2014. - 203 с. - Текст : непосредственный. Степановских Е.И. Ионные системы: решение задач : учебно-методическое пособие / Е. И. Степановских, Т. В. Виноградова, Л. А. Брусницына; [науч. ред. В. Ф. Марков], 2018. - 217 с. - Текст : непосредственный. Физическая химия: курсовые работы : учеб. пособие / Е. И. Степановских [и др.]; отв. ред. Е. И. Степановских, 2014. - 185 с. - Текст : непосредственный. Мельник А.А. Теория горения и взрыва : учеб. пособие / А. А. Мельник, Л. Н. Маскаева, С. А. Техтереков, 2014. - 186 с. - Текст : непосредственный. Предприятия энергопромышленности СССР : справочник / НКТП СССР - Главэнергопром, 1936. - 272 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный. Никитина Е.А. Рентгенографические исследования структуры аморфных окислов алюминия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Никитина, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Strumpler R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium / R. Strumpler, 1989. - 105 S. - Текст : непосредственный. Polysilicon films and interfaces : сборник научных трудов / Ed. A. Wong, 1988. - 369 p. - Текст : непосредственный. Грунский Д.И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Д. И. Грунский, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный. Новикова Ю.А. Исследование оптических констант пленок фторидов в средней ИК области спектра и синтез на их основе ахроматических просветляющих покрытий / Ю. А. Новикова, 2015. - 18 с. - Текст : непосредственный. Science and technology of thin film superconductors : материалы временных коллективов / Ed.: R. D. McConnell, S. A. Wolf, 1989. - XIV,557 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Кайдашев Е.М. Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур / Е. М. Кайдашев, 2018. - 48 с. - Текст : непосредственный. Усольцева Д.С. Электронная, атомная структура и фазовый состав композитных пленок Al-Si / Д. С. Усольцева, 2018. - 15 с. - Текст : непосредственный. Юрк В.М. Гидрохимическое осаждение высокофункциональных пленок селенида свинца селеномочевиной с использованием различных антиоксидантов : 05.17.02 - Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / В. М. Юрк, 2019. - 24 с. - Текст : непосредственный. Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л. / А. А. Новиков, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тростянская Н.И. Получение активированным электронно-лучевым напылением пленок оксида индия, их электрофизические и оптические свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. И. Тростянская, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Брунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. Н. Брунков, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный. Исмаилов Д.В. Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / Д. В. Исмаилов, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный. Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.13 / А. Л. Каблуков, 2003. - 26 c. - Текст : непосредственный. Сердобинцев А.А. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сердобинцев, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
