Полное описание
Bergmann, R. B. Перевод заглавия: Кремниевые слои на двуокиси кремния посредством получения жидкой фазы эпитаксии и характеристика слоистой системы.Дис.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.315.592-416.002(043) 621.3.049.77-047.84(043)
Рубрики: Кремниевые структуры -- Производство
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17156)
Шифр в сводном ЭК: 68212de099deed4e8045cad0865ac3f4
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный. Strumpler R. In situ Untersuchungen des MBE-und MOMBE-Wachstums von LaF3-und GaAs-Schichten auf Silizium / R. Strumpler, 1989. - 105 S. - Текст : непосредственный. Грунский Д.И. Формирование слоев аморфного гидрогенизированного кремния в силансодержащей плазме комбинированного разряда : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Д. И. Грунский, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Волоховский А.Д. Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем / А. Д. Волоховский, 2018. - 27 с. - Текст : непосредственный. Алексахин А.В. Разработка автоматизированных систем алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов / А. В. Алексахин, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Чакветадзе Д.К. Припоечные композиты на основе стекол системы PbO-B2 O3 и R2 O-SnO-P2 O5 (R=Li, Na, K) : специальность 05.17.11 - Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. К. Чакветадзе, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный. Новиков А.А. Физико-химические основы синтеза медь-фосфатных стеклообразных покрытий при воздействии лазерного излучения : Автореферат диссертации на соискание ученой степени Л. / А. А. Новиков, 1990. - 40 с. - Текст : непосредственный. Гулидов Д.Н. Использование анизотропии свойств полуфабрикатов для оптимизации технологии кремниевых ИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Д. Н. Гулидов, 1992. - 50 с. - Текст : непосредственный. Брунков П.Н. Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / П. Н. Брунков, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный. Каблуков А.Л. Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.13 / А. Л. Каблуков, 2003. - 26 c. - Текст : непосредственный. Дормушев А.Е. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.03.01 / А. Е. Дормушев, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Сердобинцев А.А. Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. А. Сердобинцев, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
