Приложение
для AndroidПолное описание
Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 52 с. : ил. - (Препринт ; 5(1991)). - 200 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 48-52 (51 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323(04) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
Доп. точки доступа:
Белоусов, И.И.
Ефимов, В.М.
Синица, С.П.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/19085/5(1991))
Шифр в сводном ЭК: 36b4013fb9941ea18c490fb6bf137721
Резник А.Л. Компьютерная аналитика и обобщенные числа Каталана в задачах регистрации случайных дискретных объектов / А. Л. Резник, В. М. Ефимов, 2013. - 62 с. - Текст : непосредственный.Ефимов В.М. Экономическая наука под вопросом: иные методология, история и исследовательские практики : монография / В. М. Ефимов, 2016. - 352 с. - Текст : непосредственный.
Харрис П. Углеродные нано-трубки. Синтез, свойства и применение / П. Харрис; пер. с англ. В. М. Ефимова; под ред. А. В. Двуреченского, 2016. - 220 с. - Текст : непосредственный.Белоусов И.И. Перенос заряда в МДП-структурах с двуокисью кремния,полученной при низких (100-400 С) температурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / И. И. Белоусов, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Ефимов В.М. Позднеюрские и раннемеловые ихтиозавры Среднего Поволжья и Подмосковья : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. геол.-минерал. наук: 04.00.09 / В. М. Ефимов, 1997. - 24 с. - Текст : непосредственный.Экологическое право России : учеб. пособие / В. М. Ефимов [и др.]. Ч. 2, 2010. - 196 с. - Текст : непосредственный.Тимаков, Ю. В. Охрана труда : учеб. пособие. Ч. 1 : Законодательные основы и нормативные требования, 2013. - 124 с. - Текст : непосредственный.Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В.Н.Освюк,Г.Л.Курышев,Ю.Г.Сидоров и др.;Отв.ред.С.П.Синица, 2001. - 375 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Боднар О.Я. Динамическая симметрия / О. Я. Боднар, 1990. - 69 с. - Текст : непосредственный.Спектр спиновых возбуждений в негейзенбергских антиферромагнетиках со структурой La2 Ni O4 с учетом мультиплетности атомных состояний / М. Б. Гусейнов, Х. М. Пашаев, Н. Г. Гусейнов, М. Т. Касумов, 1991. - 34 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.А. Метод вынуждения с точки зрения формальной системы G+ генценовского типа / В. А. Кузнецов, 1991. - 59 с. - Текст : непосредственный.Солдатенко Г.А. Постоянные магниты в осветителе электронного микроскопа высокого разрешения / Г. А. Солдатенко, 1988. - 16 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Герман-Галкин С.Г. Применение силовых полупроводниковых приборов в преобразовательной технике / С. Г. Герман-Галкин, В. А. Рудский, Н. Н. Юрченко, 1990. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция линейных управляемых систем / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Новицкий В.В. Декомпозиция и модальное управление в линейных системах / В. В. Новицкий, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Федорин Я.В. Метод численного моделирования конвективного и адвективного тепломассопереноса для многослоистых сред / Я. В. Федорин, 1990. - 29 c. - Текст : непосредственный.Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сидоренко И.Н. Particle loss regions in phase space for torsatron configurations. 1 / И. Н. Сидоренко, А. А. Шишкин, 1990. - 16 p. - Текст : непосредственный.Чечкин В.В. On a mechanism of antenna phasing effect on impurity production during icrf plasma heating / В. В. Чечкин, Л. И. Григорьева, 1990. - 15 p. - Текст : непосредственный.Коллективное взаимодействие моноэнергетических РЭП большой энергии с плазмой / А. К. Березин, В. А. Киселев, И. Н. Онищенко, Я. Б. Файнберг, 1989. - 16 c. - Текст : непосредственный.Салеев В.А. J/ production in hadron-nucleus and nucleus-nucleus collisions at high energies / В. А. Салеев, Н. П. Зотов, 1990. - 17 p. - Текст : непосредственный.Многоцелевой детекторный модуль для регистрации нейтронов в околеземном пространстве / М. И. Панасюк, П. И. Шаврин, О. Ю. Нечаев, 1990. - 23 с. - Текст : непосредственный.Возбуждение колебаний при взаимодействии электронного пучка с создаваемой им плазмой / Ю. П. Блиох, Н. М. Землянский, М. Г. Любарский, 1990. - 7 c. - Текст : непосредственный.Качаловская Н.Е. Равновесие упругой среды с эллипсоидальной неоднородностью при условии гладкого контакта на ее границе / Н. Е. Качаловская, А. Ф. Улитко, 1989. - 34 с. - Текст : непосредственный.Информационная система "ГИС-сейсморазведка" при детальном изучении строения нефтегазовых объектов / Е. А. Галаган, П. Г. Гильберштейн, Л. В. Кузнецова, 1989. - 81 c. - Текст : непосредственный.Рыков В.А. Передача импульса молекулам газа дрейфовыми потоками ионов и электронов / В. А. Рыков, А. В. Худяков, 1999. - 13 с. - Текст : непосредственный.Беляев Ю.Э. Моделирование роста фрактальных кластеров в газовой фазе / Ю. Э. Беляев, Ю. Е. Лозовик, А. А. Пурецкий, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыLi T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный.
Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях / В. Н. Галкин, 1974. - 141, [2] с. - Текст : непосредственный.Nawaz M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen, 1995. - 13 p. - Текст : непосредственный.Воробьев М.Д. Учебное пособие по курсу элементная база радиоэлектроники. Биполярные и полевые транзисторы. Интегральные схемы / М.Д.Воробьев, 1991. - 83 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Langen W. Herstellung und Charakterisierung selektiv gewachsener vertikaler Feldeffekttransistoren : Diss. / W.Langen, 1995. - 95 S. - Текст : непосредственный.Lee G.Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee, 1992. - 127 S. - Текст : непосредственный.Воронков Э.Н. Полевые транзисторы : Учеб. пособие по курсу "Твердотельная электроника" для студентов, обучающихся по направлению "Электроника и микроэлектроника" / Э.Н.Воронков,Е.Зенова, 2004. - 59 с. - Текст : непосредственный.Романов В.П. Физические процессы в полупроводниках, p-n-переходе биполярном и полевом транзисторах : Учеб.пособие / В.П.Романов, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный.Dispositifs a semiconducteurs: Dispositifs discrets et circuits integres. Pt. 8,Sect.1 : Transistors a effet de champ. Sect.1: Specification particuliere cadre pour les transistors a effet de champ a grille unique, jusqu'a 5 W et 1 GHz, 1987. - 33 p. - Текст : непосредственный.Маликов С.В. Полевые транзисторы / С. В. Маликов, Н. В. Маликова, 2012. - 68 с. - Текст : непосредственный.Weis J. Einzelelxektron-Tunneltransistor:Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustande in einem GaAs/AlxGa1-xAs-Quantentopf : Diss. / J.Weis, 1994. - 196 S. - Текст : непосредственный.Mietzner T.K.R. Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berucksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung : Diss. / T.K.R.Mietzner, 2001. - IV,124 S. S. - Текст : непосредственный.Designing with field-effect transistors : Diazocopy(6) / сост.rev. E. Oxner, 1990. - 296 мкфш. - Текст : непосредственный.Weiss M. Leistungscharakteristik und Sattigungsmechanismen von TEGFETs und MESFETs : Diss. / M.Weiss, 1988. - XI,214 S. S. - Текст : непосредственный.Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение в технике связи : монография / А. Н. Игнатов, 2008. - 319 с. - Текст : непосредственный.HEMTs and HBTs:devices,fabrication and circuits : Ксерокопия / ed. F. Ali, ed. A. Gupta, 1991. - XI,371 p. p. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7518 : Tuneable electron transport in metallic nanostructures : diss. / S. Dasgupta, 2009. - X, 125 p. - Текст : непосредственный.Aaen P.H. Modeling and characterization of RF and microwave power FETs / P. H. Aaen, J. A. Pla, J. Wood, 2007. - XV, 362 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В. А. Высоцкий, О. И. Коньков, А. Г. Смирнов, Е. И. Теруков, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Электрофизические свойства низкотемпературных слоев SiO2 / И.И.Белоусов,В.М.Ефимов,С.П.Синица и др., 1991. - 52 с. - Текст : непосредственный.Восстановление генерационного времени жизни носителей в МОП структуре на основе высокоомного кремния / Э.А.Асланов,А.А.Бейрамов,Э.А.Джафаров и др., 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Косцова Н.Э. Влияние модели расчета вольт-фарадных характеристик на определение параметров МДП-структур / Н. Э. Косцова, А. Н. Коршунов, Е. Г. Сальман, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.2 / В.А.Высоцкий,О.И.Коньков,А.Г.Смирнов,Е.И.Теруков, 1989. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽