• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe / Г.Т.Алексеева,Ю.А.Дегтярев,Т.В.Жукова и др. - Л. : [б. и.], 1991. - 46 с. : ил. - (Препринт / Физико-техн.ин-т им.А.Ф.Иоффе(Ленинград) ; 1521). - 200 экз. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.: с. 46 (10 назв.)

    ГРНТИ УДК
    47.13.33621.315.592.002:669.046.516(04)

    Рубрики:
    Полупроводники -- Легирование

    Доп. точки доступа:
    Алексеева, Г.Т.
    Дегтярев, Ю.А.
    Жукова, Т.В.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/14715/1521)

    Шифр в сводном ЭК: e3886dd70cd7b447d04f8e4a808c5bbf



    Заказ фрагмента документа ₽