Полное описание
Красников, Г. Я. Ч. 1 . - 2002. - 413 с. : ил. - 1000 экз. - ISBN 5-94836-001-6
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.323
Рубрики: МОП-транзисторы
Экз-ры полностью 0978bc4ef762ae68351df4bda6f38145 Нет сведений об экземплярах Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/58583/1)
Шифр в сводном ЭК: 0978bc4ef762ae68351df4bda6f38145
Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный. Труды Московского семинара по философии математики / МГУ им. М. В. Ломоносова. Филос. фак. Кн. 6 : Математика и реальность / под ред. В. А. Бажанова [и др.], 2014. - 502 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Актуальные задачи микроэлектроники: технологии и микросхемы : научные результаты НИИ молекулярной электроники за 2018 год / Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники", 2019. - 138 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета. Т. 2(4) : Материалы научного семинара по теме: "Элементная база СБИС: транзисторные структуры" : [Москва, 27 февраля 2019 г.] / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 132 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета / Российская академия наук, Научный совет "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания". Т. 3(5) : Материалы заседания Научного совета и научного семинара по теме: "Системы металлизации" / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 106 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС массового производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Г. Я. Красников, 1996. - 49 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета. Т. 3(1) : Материалы научного семинара по теме: "Коррекция эффектов оптической близости в литографии", НИИМЭ, Москва, 30 января 2019 г. / председатель Г. Я. Красников, 2019. - 146 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г.Я.Красников,Н.А.Зайцев, 1999. - 226, 216 с. 216 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета. Т. 4(6) : Материалы научного семинара по теме: "Фундаментальные проблемы энергонезависимой резистивной памяти для нейроморфных систем", Москва, ИРЭ им. В. А. Котельникова РАН, 19 июня 2019 г. / председатель: академик РАН Г. Я. Красников ; составители: Г. Я. Красников [и др.], 2019. - 212 с. - Текст : непосредственный. Труды АО "НИИМЭ" / Московский физико-технический институт (государственный университет)", Базовая кафедра "микро- и наноэлектроники", Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики ; руководитель базовой кафедры: Г. Я. Красников. Т. 2(2) : Доклады по выпускным квалификационным работам 2019 г. / составители: Г. Я. Красников [и др.], 2019. - 137 с. - Текст : непосредственный. Труды АО "НИИМЭ" / Московский физико-технический институт (государственный университет), Базовая кафедра "микро- и наноэлектроники", Физтех-школы электроники, фотоники и молекулярной физики ; руководитель базовой кафедры: Г. Я. Красников. Т. 3(3) : Доклады по магистерским диссертациям 2019 г. / составители: Г. Я. Красников [и др.], 2019. - 158 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. Ч. 1, 1999. - 226 с. - Текст : непосредственный. Красников, Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС. Ч. 2, 1999. - 216 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Наноэлектроника : состояние, проблемы и перспективы развития / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев. - Текст : непосредственный // Нано- и микросистемная техника. - М. - 2009. - № 1. - с. 3-5 1-я научно-техническая конференция АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН" : Сб.тр. / "НИИМЭ и з-д "МИКРОН", акционерное о-во открытого типа, Научно-техническая конф.(1), 1998. - 288 с. - Текст : непосредственный. Труды научного совета. Т. 2(2) : Материалы научной сессии по теме: "Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем", Президиум РАН, Москва, 26 ноября 2018 г. / председатель Г. Я. Красников, 2018. - 183 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 1, 2002. - 413 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников, 2011. - 799 с. - Текст : непосредственный. Lancaster D. CMOS-Kochbuch : Ubersetzung vom Englisch / D.Lancaster, 1989. - Pag.var. - Текст : непосредственный. Majkusiak B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak, 1991. - 117 p. - Текст : непосредственный. Croon J.A. Matching properties of deep sub-micron mos transistors / J. A. Croon, H. E. Maes, W. Sansen, 2005 r=on-line Narendra S.G. Leakage in nanometer CMOS technologies / S. G. Narendra, A. Chandrakasan, 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Красников, Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : В 2 ч. Ч. 2, 2004. - 535 с. - Текст : непосредственный. Расчет тормозного излучения в электронной литографии, его влияние на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощенную энергию в резисте / М.В.Силаков,Г.А.Бабушкин,К.А.Валиев и др, 2003. - 40 с. - Текст : непосредственный. Nagel N. Losungswachstum von Siliziumschichten auf Siliziumdioxid und Charakterisierung der Schichten : Diss. / N.Nagel, 1993. - 140 S. - Текст : непосредственный. Sekigawa T. study of new structure short channel MOS transistors / T.Sekigawa, 1991. - 110 p. - Текст : непосредственный. Emunds A. Dynamische und kinetische Eigenschaften eines quasi 2-dimensionalen Elektronengases : Diss. / A.Emunds, 1990. - 116 S. - Текст : непосредственный. SIPMOS semiconductors, 1995. - 4 p. - Текст : непосредственный. Методы подавления короткоканальных эффектов в субмикронных MOS-транзисторах : учебное пособие / Г. В. Быкадорова, А. Н. Цоцорин, А. Е. Бормонтов, С. В. Авилов, 2021. - 116 с. - Текст (визуальный) : непосредственный. Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 16 : High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed.: H. R. Huff, D. C. Gilmer, 2005. - XXIV, 710 p. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике / В. В. Денисенко, 2010. - 407 с. - Текст : непосредственный. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный. Падеров В.П. Исследование границы раздела диэлектрик-полупроводник с целью разработки плазмохимического процесса для формирования МДП структур на соединениях А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Падеров, 1994. - 23 с. - Текст : непосредственный. Тонкопленочные МДП-транзисторы на основе аморфного гидрогенизированного кремния: физика, технология, применение в ЖКЭ. Ч.1 / В. А. Высоцкий, О. И. Коньков, А. Г. Смирнов, Е. И. Теруков, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный. PowerMOS transistors including TOPFETs and IGBTs : монография, 1995. - 637 p. - Текст : непосредственный. Тяжлов В.С. Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. С. Тяжлов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный. Люмаров П.П. Применение эрмитовых поликубических интерполяционных сплайнов на сетках криволинейной формы для электрических моделей МОП-транзисторов с субмикронными размерами / П. П. Люмаров, 1990. - 39 с. - Текст : непосредственный. Малеев Н.А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидгаллиевых микроструктур с барьером Шоттки : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. А. Малеев, 1997. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сивожелезов В.И. Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и Р-N-переходом в подложке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. И. Сивожелезов, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Самсоненко Б.Н. Электрохимические процессы обработки поверхности полупроводника и формирования в технологии полевых транзисторов Шоттки на арсениде галлия : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Б. Н. Самсоненко, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный. Li T. Channel formation in organic field-effect transistors / T. Li, J. W. Balk, P. P. Ruden, 2002. - 4312-4318 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
