Полное описание
Зайцев, Н. А.
ГРНТИ УДК 47.33.41 621.3.049.77-047.84(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР94-0566)
Шифр в сводном ЭК: 607868f16d1c482dc37dc12ca2fa1e12
Зайцев Н.А. Замкнутая формулировка трехмерной нестационарной задачи в ограниченной области о взаимодействии электромагнитного поля с диспергирующей решеткой / Н. А. Зайцев, 2006. - 30 с. - Текст : непосредственный. Красников Г.Я. Система кремний - диоксид кремния субмикронных СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев, 2003. - 383 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Усеченные условия полной прозрачности на открытых границах в изотропных средах / Н. А. Зайцев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Возможная термодинамическая модель для использования в схеме прямого моделирования двухфазных потоков / Ю. Г. Рыков, Н. А. Зайцев, В. В. Кабанов [и др.], 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Зайцев Н.А. Основы теории систем и комплексов радиоэлектронной борьбы : учеб. пособие / Н. А. Зайцев, Е. А. Макарецкий, 2016. - 171 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Проектирование многокомпонентных жаростойких покрытий монокристаллических лопаток ГТД на основе оценки их структурной и фазовой стабильности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.01 / Н. А. Зайцев, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Расчет течений жидкости Ван дер Ваальса в модели диффузного интерфейса локальным разрывным методом Галеркина / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Расчет оператора неотражающих граничных условий на трехмерной плоской границе для однородной в нормальном направлении среды / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный. Софронов И.Л. Transparent artificial boundary conditions for waves leaving a highly-stretched cylindrical computational domain / И.Л.Софронов,Н.А.Зайцев, 1999. - 23 p. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Стабилизация структурно-примесных и электрофизических свойств системы Si-SiO в производстве кремниевых микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 06.27.01 / Н. А. Зайцев, 1994. - 51 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Об одной двумерной модели расчета двухфазных потоков / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, Ю. Г. Рыков, 2014. - 32 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Численный расчет одной модели, описывающей кристаллизацию металлов I. Одномерный случай / Н. А. Зайцев, Ю. Г. Рыков, 2007. - 16 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Об одной трехмерной модели с диффузным интерфейсом для расчета двухфазных течений реальной воды / Н. А. Зайцев, Б. В. Критский, 2016. - 20 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO / Н.А.Зайцев,И.О.Шурчков, 1993. - 192 c. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Численное исследование некоторых физических процессов взаимодействия солнечного ветра с межзвездной средой : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.13.16 / Н. А. Зайцев, 1998. - 20 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Фадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Волоховский А.Д. Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем / А. Д. Волоховский, 2018. - 27 с. - Текст : непосредственный. Алексахин А.В. Разработка автоматизированных систем алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов / А. В. Алексахин, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Чакветадзе Д.К. Припоечные композиты на основе стекол системы PbO-B2 O3 и R2 O-SnO-P2 O5 (R=Li, Na, K) : специальность 05.17.11 - Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. К. Чакветадзе, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный. Гулидов Д.Н. Использование анизотропии свойств полуфабрикатов для оптимизации технологии кремниевых ИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Д. Н. Гулидов, 1992. - 50 с. - Текст : непосредственный. Дормушев А.Е. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.03.01 / А. Е. Дормушев, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный. Давлятшина А.А. Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HCI и его смесей с азотом и кислородом : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 02.00.04 / А. А. Давлятшина, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сосунов А.Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / А. Г. Сосунов, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный. Суворинов А.В. Развитие теории и основ проектирования низковольтного электронно-оптического оборудования для диагностики изделий интегральной электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.07 / А. В. Суворинов, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный. Салеев Д.В. Алгоритмическое обеспечение подсистемы оптимизации технологического процесса производства интегральных схем типа ТТЛ : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.06 / Д. В. Салеев, 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный. Филипенко Н.А. Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. А. Филипенко, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный. Чумаров С.Г. Исследование и разработка методов обеспечения оптимальной технологической воспроизводимости аналоговых микросборок по критерию точности электрических выходных параметров : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.04 / С. Г. Чумаров, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Н.А. Стабилизация структурно-примесных и электрофизических свойств системы Si-SiO в производстве кремниевых микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 06.27.01 / Н. А. Зайцев, 1994. - 51 с. - Текст : непосредственный. Bergmann R.B. Siliziumschichten auf Siliziumdioxid mittels Flussigphasenepitaxie-Herstellung und Charakterisierung von Schichtsystemen : Diss. / R.B.Bergmann, 1991. - 132 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
