Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Абрамов А.А. Флотационные методы обогащения / А. А. Абрамов, 1993. - 412 c. - Текст : непосредственный.Абрамов А.А. Контейнерные перевозки на железнодорожном транспорте / А. А. Абрамов, 2004. - 347 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.А. Математическое моделирование транспортных процессов : учебное пособие / А. А. Абрамов, 2002. - 127 с. - Текст : непосредственный.Особые радиоактивные отходы / А. А. Абрамов, А. Н. Дорофеев, Ж. В. Тяжкороб [и др.] ; Ред. И. И. Линге, 2015. - 239 с. - Текст : непосредственный.Информационный менеджмент / А. А. Абрамов, С. Б. Афанасьев, Е. Н. Ефимов, Е. В. Ефимова, 2004. - 185 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Малимон И.В. Анизотропия горячей электролюминесценции карбидкремниевых диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. В. Малимон, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кузьмин В.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. В. Кузьмин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Сизюк В.А. Исследование плазменных неустойчивостей и переноса заряда в полупроводниковых микроструктурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / В. А. Сизюк, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Мередов М.М. Процессы токопереноса, фотоэффект и фотомагнитный эффект в диодных структурах на основе InAs, InP и их тройных твердых растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / М. М. Мередов, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный.Цыранов С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в SOS-диодах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / С. Н. Цыранов, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.А. Физические процессы в p-i-n-структурах и методы расчета функциональных характеристик p-i-n-диодов и магнитодиодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени физ.-мат. наук:01.04.10 / А. А. Абрамов, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный.Скворцов С.И. Нелинейные динамические режимы работы магнитодиодов и магнитотранзисторов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат.наук: 05.27.01 / С. И. Скворцов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шевлягин А.В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный.Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный.Поляков М.Ю. Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / М. Ю. Поляков, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Золотарев Е.С. Шумовые диоды с катодным статическим и движущимися доменами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, 01.04.10 / Е. С. Золотарев, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽