Приложение
для AndroidПолное описание
Исмаилов, Т. А. Базовые процессы формирования активных областей структуры мощных кремниевых транзисторов : монография / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева. - СПб. : Политехника, 2009 (СПб.). - 152 с. - Библиогр.: с. 147-152 (65 назв.). - 1000 экз. - ISBN 978-5-7325-0922-9. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.3.026 |
Рубрики:
Транзисторы силовые
Доп. точки доступа:
Шахмаева, А. Р.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-09/57271)
Шифр в сводном ЭК: c5d3fa74a690b9eb19c701c457170f0a
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛабутин В.К. Мощные низкочастотные транзисторы / В. К. Лабутин, 1965. - 32 c. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторы в преобразовательной технике за рубежом : сборник / ВНИИ информации и технико-экономических исслед. в электротехнике, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный.Исмаилов Т.А. Базовые процессы формирования активных областей структуры мощных кремниевых транзисторов : монография / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, 2009. - 152 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 1, 2004. - 79 с. - Текст : непосредственный.Веденеев Г.М. Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах / Г. М. Веденеев, А. Н. Зенченко, А. Б. Токарев, 1992. - 89 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 2, 2006. - 95 с. - Текст : непосредственный.
Лабутин В.К. Мощные низкочастотные транзисторы / В. К. Лабутин, 1965. - 32 c. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторы в преобразовательной технике за рубежом : сборник / ВНИИ информации и технико-экономических исслед. в электротехнике, 1990. - 27 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1579) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor Corporation : По данным зарубеж.и отеч.печати за 1968-1988 гг.Ч. 2. Биполярные транзисторы для работы в непрерывном и импульсном режимах / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 59 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Некоторые приложения декомпозиционных моделей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов на основе изоморфно-коллективного подхода / О. М. Булгаков, 2006. - 236 с. - Текст : непосредственный.Булгаков О.М. Композиционные модели индукционных взаимодействий в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах / О. М. Булгаков, Б. К. Петров, 2005. - 253 с. - Текст : непосредственный.
Шангереева Б.А. Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. А. Шангереева, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исмаилов Т.А. Базовые процессы формирования активных областей структуры мощных кремниевых транзисторов : монография / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, 2009. - 152 с. - Текст : непосредственный.Шалимов О.Н. Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / О. Н. Шалимов, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 1, 2004. - 79 с. - Текст : непосредственный.Купчинский В.И. Исследование моделей функционирования и разработка аппаратно-программного обеспечения системы измерения параметров мощных транзисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.13.16 / В. И. Купчинский, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Красюков А.Ю. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания планарных мощных МОП-транзисторов с повышенным значением пробивного напряжения для интеллектуальных силовых интегральных схем : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А.Ю. Красюков, 2005. - 26 с. - Текст : непосредственный.Сахмуд Абделькарим Низар.Моделирование электрических параметров и определение времени жизни носителей и времени переключения силовых биполярных полупроводниковых структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Сахмуд Абделькарим Низар, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный.Веденеев Г.М. Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах / Г. М. Веденеев, А. Н. Зенченко, А. Б. Токарев, 1992. - 89 с. - Текст : непосредственный.Сергеев В.А. Контроль качества мощных транзисторов по теплофизическим параметрам / В.А.Сергеев, 2000. - 253 с. - Текст : непосредственный.Сомов А.И. Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. И. Сомов, 1999. - 17 с. - Текст : непосредственный.Силовые транзисторные устройства : Темат. сб. науч. трудов / Моск. авиац. ин-т (гос. техн. ун-т) (МАИ). Вып. 2, 2006. - 95 с. - Текст : непосредственный.Айрапетян В.К. Исследование надежности силовых транзисторов и разработка методов их отбраковки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. К. Айрапетян, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный.Швец А.В. Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Швец, 2003. - 25 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1567) : Вопросы разработки и производства мощных транзисторов в США на примере деятельности фирмы Microwave Semiconductor corporation : По дан.зарубеж.и отеч.печати за 1969-1988 гг.Ч. 1. Деятельность и научно-техническая политика Фирмы. Общие проблемы разработки и производства биполярных транзисторов / Л.Я.Глазштейн,И.Б.Десятов, 1990. - 64 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽