Полное описание
Ганиев, М. Х.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР92-6083)
Шифр в сводном ЭК: fd951673266ecbaff38ee1794c47d814
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Патрин А.А. Рекомбинационно-активные центры в структурно-несовершенном монокристаллическом и крупнозернистом поликристаллическом кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. А. Патрин, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный. Лазникова И.Д. Влияние химической структуры олигомерных фотопроводников на их информационные свойства : специальность 02.00.06 "Высокомолекулярные соединения" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / И. Д. Лазникова, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный. Понарина Е.Н. Особенности оптических,электрических и фотоэлектрических свойств аморфного гидрированного кремния с высокой концентрацией водорода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. Н. Понарина, 1992. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Доника Ф.Г. Получение и характеризация некоторых полупроводниковых сложных халькогенидов и разработка приборных структур на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук в форме науч. докл.: 01.04.10, 01.04.18 / Ф. Г. Доника, 1990. - 63 с. - Текст : непосредственный. Шофман В.Г. Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Г. Шофман, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный. Richter R. Mikrocharakterisierung und-strukturierung von GaAs(100)-Oberflachen und deren Metallisierungen / R.Richter, 1991. - VII,154 S. S. - Текст : непосредственный. Кузнецова Т.К. Влияние фазового состава и микроструктуры на полупроводниковые и позисторные свойства материалов на основе феррониобата свинца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.07 / Т. К. Кузнецова, 1999. - 25 с. - Текст : непосредственный. Федянин А.А. Генерация электроиндуцированной второй гармоники в полупроводниковых структурах и тонких пленках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.21 / А. А. Федянин, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный. Баранова Е.П. Электрическая релаксация и фотоиндуцированные явления в поликристаллах Pb3O4 : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Е. П. Баранова, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный. Новгородцева Л.В. Система GaSb - ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / Л.В. Новгородцева, 2005. - 23 с. - Текст : непосредственный. Ганиев М.Х. Гидрогенизированные аморфные полупроводники а-Si C :H.Получение и свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:01.04.10 / М. Х. Ганиев, 1992. - 15 с. - Текст : непосредственный. Денисов В.М. Исследование свойств и межфазного взаимодействия в системах полупроводник - металл, полупроводник - соль, полупроводник - оксид в твердом и жидком состояниях : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим.наук:02.00.04 / В. М. Денисов, 1993. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
