Приложение
для AndroidПолное описание
Козловский, В. В.
Рациональная физика полупроводников : учеб. пособие / В. В. Козловский, А. Э. Васильев ; С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого. - СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 20 - . - Текст : непосредственный.
Ч. 2 : Радиационное дефектообразование в полупроводниках при электронном и протонном облучении. - 2016. - 96 с. : ил. - Библиогр.: с. 94-95. - 60 экз.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.16 |
Рубрики:
Полупроводники -- Влияние ионизирующих излучений
Доп. точки доступа:
Васильев, А.Э.
Санкт-Петербургский политехнический ун-т Петра Великого
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/70496/2)
Шифр в сводном ЭК: 812ccdde9febef397f38dc34c0dba2c3
Козловский В.В. Радиационная физика полупроводников. Ч. 1 : Радиационные эффекты в полупроводниках при протонном облучении, 2015. - 187 с. - Текст : непосредственный.
Агапьев Б.Д. Практическая обработка результатов эксперимента / Б. Д. Агапьев, В. В. Козловский, К. Б. Агапьев, 2017. - 80 с. - Текст : непосредственный.Модификация свойств полупроводников облучением легкими ионами : учебное пособие / В. В. Козловский, П. А. Карасев, А. Э. Васильев, А. И. Титов, 2018. - 115 с. - Текст : непосредственный.Физика. Атомная и ядерная физика : учеб. пособие / Б. Д. Агапьев [и др.]. Ч. 1, 2013. - 47 с. - Текст : непосредственный.Физика. Волновая и корпускулярная оптика : Учеб. пособие / А.Э.Васильев,А.Н.Ипатов,В.В.Козловский,В.Н.Петров, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный.Козловский, В. В. Рациональная физика полупроводников : учеб. пособие. Ч. 2 : Радиационное дефектообразование в полупроводниках при электронном и протонном облучении, 2016. - 96 с. - Текст : непосредственный.Нефедов Е.И. Микрополосковые излучающие и резонансные устройства / Е. И. Нефедов, В. В. Козловский, А. В. Згурский, 1990. - 160 c. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Физические основы радиационного легирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.07,01.04.16 / В. В. Козловский, 1996. - 38 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский; Отв. ред. Р.Ш. Малкович, 2003. - 268 с. - Текст : непосредственный.Синтез устройств СВЧ на неоднородных линиях / В.В.Козловский,В.И.Сошников,В.И.Бычковский и др., 1991. - 154 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Макрозообентос верхнего шельфа юго-западной части Карского моря : автореф. дис. .. канд. биол. наук: 03.02.10 / В. В. Козловский, 2012. - 26 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Легирование материалов А В радиационными дефектами : Препринт / В.В.Козловский,В.Н.Абросимова, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Интеграция стран Центральной и Восточной Европы в европейское экономическое пространство : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра экон. наук:08.00.01 / В. В. Козловский, 1999. - 54 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Заработная плата и результативность труда / В.В.Козловский;Под ред.Э.А.Лутохиной, 1990. - 71 c. - Текст : непосредственный.Нартя Е.Ф. Реагентное удаление дурнопахнущих веществ на сооружениях очистки сточных вод / Е. Ф. Нартя, В. В. Козловский, А. М. Хоменко, А. А. Зидиханова [и др.]. - Текст : непосредственный // Водоснабжение и санитарная техника. - Москва : ВСТ, 2022. - N 10. - с. 48-55Современное состояние макрозообентоса ультрамелководной зоны Таманского залива Азовского моря / В. А. Спиридонов [и др.] // Океанология. - м. : Наука, 2016. - Т. 56. - с. 266-277
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Гуторова Н.В. Бизнес-планирование. Количественный инструмент сводного планирования : выставочные материалы / Н. В. Гуторова, В. В. Ловцюс, М. В. Раевский, 2015. - 231 с. - Текст : непосредственный.Мильская Е.А. История экономических учений : выставочные материалы / Е. А. Мильская, 2016. - 165 с. - Текст : непосредственный.Волков Д.Ю. Математика. Аналитическая геометрия плоскости. Практикум : выставочные материалы / Д. Ю. Волков, К. В. Галунова, В. В. Краснощеков, 2015. - 91 с. - Текст : непосредственный.Процессы глобальной экономики / Санкт-Петербургский политехнический ун-т Петра Великого, 2015. - 332 с. - Текст : непосредственный.Современные технологии в теории и практике программирования : сборник / Санкт-Петербургский политехнический ун-т Петра Великого, 2016. - 115 с. - Текст : непосредственный.Паршин С.Г. Металлургия подводной и гипербарической сварки / С. Г. Паршин, 2016. - 401 с. - Текст : непосредственный.Рыбин В.В. Высокопрочные свариваемые улучшаемые стали / В. В. Рыбин, В. А. Малышевский, Е. И. Хлусова, 2016. - 211 с. - Текст : непосредственный.Козелецкая Т.А. Управление проектами средствами Microsoft Office Project' 2013 : выставочные материалы / Т. А. Козелецкая, 2016. - 103 с. - Текст : непосредственный.Николова Л.В. Эффективность инвестиционных проектов : выставочные материалы / Л. В. Николова, 2015. - 158 с. - Текст : непосредственный.Швецов К.В. Территориальная организация населения и хозяйства : выставочные материалы / К. В. Швецов, 2016. - 186 с. - Текст : непосредственный.Соколицын А.С. Совершенствование механизмов управления диверсификацией деятельности и обеспечения финансовой устойчивости предприятий корпоративных промышленных фирм : монография / А. С. Соколицын, М. В. Иванов, Н. А. Соколицына, 2016. - 150 с. - Текст : непосредственный.Рекрутмент иностранных научно-педагогических работников : выставочные материалы / В. Д. Хижняк, Д. Г. Арсеньев, М. В. Пахомова [и др.], 2015. - 378 с. - Текст : непосредственный.Технологии упрочнения, нанесения покрытий и ремонта: теория и практика : сборник / Санкт-Петербургский политехнический ун-т Петра Великого, 2016. - 356 с. - Текст : непосредственный.Максимов Ю.Д. Математика. Прикладные математики России - творцы, просветители, организаторы : выставочные материалы / Ю. Д. Максимов, 2016. - 656 с. - Текст : непосредственный.Леонова Н.А. Техносферная безопасность в примерах и задачах по физике : учеб. пособие. Ч. 2, 2014. - 72 с. - Текст : непосредственный.Гильдингерш М.Г. Инновационные технологии разработки, обоснования и принятия кадровых решений / М. Г. Гильдингерш, М. В. Лопатин, В. К. Потемкин, 2016. - 280 с. - Текст : непосредственный.Теория устойчивого развития экономики и промышленности / А. А. Алетдинова, А. В. Бабкин, Н. Н. Булатова [и др.], 2016. - 755 с. - Текст : непосредственный.Куприенко Н.В. Статистика. Методы анализа распределений и выборочное наблюдение в среде STATISTICA : выставочные материалы / Н. В. Куприенко, О. А. Пономарева, Д. В. Тихонов, 2015. - 136 с. - Текст : непосредственный.Павловский Е.Г. Организация микроконтроллеров и основы проектирования микропроцессорных систем : выставочные материалы / Е. Г. Павловский, В. А. Жвариков, А. А. Кузьмин, 2015. - 192 с. - Текст : непосредственный.Онопко Д.Е. Физика. Решение задач : выставочные материалы / Д. Е. Онопко, 2015. - 258 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМедведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Алалыкин А.С. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Алалыкин, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Скаляух О.В. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Скаляух, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Штанько В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ф. Штанько, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Радиационная физика полупроводников. Ч. 1 : Радиационные эффекты в полупроводниках при протонном облучении, 2015. - 187 с. - Текст : непосредственный.Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Коротаев А.Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах H Cd Te ядернофизическими методами : специальность 01.40.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Коротаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.Павлик Б.В. РадIацIйни процеси в напIвпровIдниках та дIелектриках / Б. В. Павлик, 1990. - 54 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽