Приложение
для AndroidПолное описание
Хорьков, С. В. Нелинейный транспорт в двумерных неоднородных проводящих средах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. В. Хорьков. - Н. Новгород, 2002. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 15-16
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.5(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар03-1477)
Шифр в сводном ЭК: 82ab67906aeff3689836fc01bb28c1cf
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВоробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов В.В. Исследование параметров низкоразмерных проводников и высокотемпературных сверхпроводников в диапазоне СВЧ : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. В. Кузнецов, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный.Wees B.J.van Quantum ballistic and adiabatic electron transport,studied with quantum point contacts / B. J.van Wees, 1989. - 125 p. - Текст : непосредственный.Никитин М.В. Крутильная деформация квазиодномерного проводника ромбического TaS3 при движении волны зарядовой плотности / М. В. Никитин, 2017. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Freche P. Numerische Untersuchungen zum Lokalisierungs-Delokalisierungs-Ubergang in zweidimensionalen mesoskopischen Leitern : Diss. / P.Freche, 1997. - 131 S. - Текст : непосредственный.Штык А.В. Кинетика электрон-фононных процессов и флуктуации в неупорядоченных проводниках и сверхпроводниках : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / А. В. Штык, 2016. - 28 с. - Текст : непосредственный.Хорьков С.В. Нелинейный транспорт в двумерных неоднородных проводящих средах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. В. Хорьков, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мироньчев А.С. Метаматериал из кольцевых проводников для радиодиапазона : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / А. С. Мироньчев, 2018. - 27 с. - Текст : непосредственный.Конторович Е.Л. Закономерности полевого испарения проводников различных типов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.04 / Е. Л. Конторович, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Шубин Н.М. Исследование резонансов и антирезонансов в квантовых проводниках и элементах молекулярной наноэлектроники на их основе : специальность 01.04.07 - "Физика конденсированного состояния": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Н. М. Шубин, 2019. - 26 с. - Текст : непосредственный.Кирпиченкова Н.В. Влияние ускорения на электродинамику тонкостенных проводящих тел : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.13.16 / Н. В. Кирпиченкова, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Свирина Ю.В. Диссипативные явления в твердотельных системах с макродефектами: диссипативные неустойчивости при разрушении упруго-пластических материалов и тепловые неустойчивости токонесущего состояния в проводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.07 / Ю. В. Свирина, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.Бурков А.Т. Электронный транспорт в проводниках вблизи границы устойчивости металлического состояния : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. Т. Бурков, 2007. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зайцев-Зотов С.В. Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мит.наук:01.04.10 / С. В. Зайцев-Зотов, 1999. - 36 с. - Текст : непосредственный.Герасименко Т.Н. Применение конформных преобразований к расчетам распределений токов, температур и магнитных полей двумерных проводников : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / Т. Н. Герасименко, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный.Минакова В.Е. Влияние света на проводимость квазиодномерного проводника с волной зарядовой плотности ромбического TaS3 : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. Е. Минакова, 2013. - 23 с. - Текст : непосредственный.Савченко, Александр Оливерович. Численные и аналитические методы расчёта воздействия электромагнитного поля на проводящее тело : 05.13.18 - Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ: автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Савченко Александр Оливерович, 2020. - 32 с. - Текст : непосредственный.Романов, Дмитрий Николаевич. Влияние анизотропии изоэнергетической поверхности на электромагнитные свойства тонких проводящих плёнок, проволок и мелких проводящих частиц : специальность 01.04.02 - Теоретическая физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Романов Дмитрий Николаевич, 2020. - 22 с. - Текст : непосредственный.Глухарев, Артем Геннадьевич. Влияние графена на фазообразование и электрические свойства в системах на основе оксида циркония : 02.00.04 - физическая химия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / Глухарев Артем Геннадьевич, 2020. - 23 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽