Приложение
для AndroidПолное описание
Свойства легированных полупроводниковых материалов : сб. науч. тр. / АН СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова ; Отв. ред. В. С. Земсков. - М. : Наука, 1990. - 256 c. : ил. - 1050 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце ст.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592.3 |
Рубрики:
Полупроводники -- Легирование
Кл.слова (ненормированные): ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИК
Доп. точки доступа:
Земсков, В.С.\ред.\
Институт металлургии им. А. А. Байкова (Москва)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д7-90/80626)
Шифр в сводном ЭК: ee74f10d984003219277d1c7ba09b290
Разрушение алюминиевых сплавов при растягивающих напряжениях, 1973. - 215 с. - Текст : непосредственный.Металловедение и обработка цветных сплавов : сборник / Институт металлургии им. А. А. Байкова (Москва), 1992. - 230 с. - Текст : непосредственный.Рохлин Л.Л. Акустические свойства легких сплавов / Л. Л. Рохлин; [ответственный редактор профессор доктор технических наук М. Е. Дриц], 1974. - 138, [1] с. - Текст : непосредственный.Шамрай Ф.И. Сплавы вольфрама, молибдена и ниобия с бором и углеродом / Ф. И. Шамрай, В. И. Харитонов, Л. В. Горшкова, 1974. - 116, [3] с. - Текст : непосредственный.Металлические монокристаллы : Сб. науч. тр. / АН СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова, 1990. - 246 с. - Текст : непосредственный.Теория и практика металлургии марганца : Сб.ст. / АН СССР. Институт металлургии им.А.А.Байкова, 1990. - 207 с. - Текст : непосредственный.Свойства легированных полупроводниковых материалов : Сб. науч. тр. / АН СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова, 1990. - 256 c. - Текст : непосредственный.Обработка давлением металлических материалов / АН СССР.Ин-т металлургии им.А.А.Байкова, 1990. - 238 с. - Текст : непосредственный.Алюминиевые и магниевые сплавы, армированные волокнами / В. С. Иванова [и др.]; [отв. ред. В. С. Иванова], 1974. - 200 с. - Текст : непосредственный.Металлургия марганца : Тез. докл. V всесоюз. совещ. (10-12 сент. 1991 г.) / Институт металлургии им. А. А. Байкова (Москва), 1991. - 143 с. - Текст : непосредственный.Аморфные (стеклообразные) металлические материалы : Сб. науч. тр. / Рос. акад. наук, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова, 1992. - 190 с. - Текст : непосредственный.Магниевые сплавы для современной техники : Сб. науч. тр. / Рос. АН, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова, 1992. - 192 с. - Текст : непосредственный.Савицкий Е.М. Прогнозирование в материаловедении с применением ЭВМ / Е.М.Савицкий,В.Б.Грибуля;Отв. ред. А.М. Евсеев, 1990. - 85 с. - Текст : непосредственный.Исследования по жаропрочным сплавам : Сб.ст. / АН СССР.Ин-т металлургии им.А.А.Байкова, 1956. - 160 с. - Текст : непосредственный.Шелест А.Е. Решение на ЭВМ "Минск-22" некоторых задач в области металловедения, металлургии и обработки металлов / А. Е. Шелест, 1974. - 136 с. - Текст : непосредственный.Гудцов Н.Т. К вопросу о легировании теплоустойчивой стали на основе α-железа / Н. Т. Гудцов, О. А. Банных, И. Ф. Зудин; ответственный редактор член-корр. АН СССР И. А. Одинг, 1959. - 66, [2] с. - Текст : непосредственный.Конструкционные материалы для реакторов термоядерного синтеза : Сб. науч. тр / Рос. АН. Ин-т металлургии им. А.А.Байкова, 1993. - 207 c. - Текст : непосредственный.Игнатов, Даниил Васильевич. О механизме окисления сплавов на основе никеля и хрома / Д. В. Игнатов и Р. Д. Шамгунова; ответственный редактор член-корр. АН СССР Н. В. Агеев, 1960. - 105, [2] с. - Текст : непосредственный.Осипов, Кирилл Афанасьевич. Вопросы теории жаропрочности металлов и сплавов / К. А. Осипов, 1960. - 284, [1] с. - Текст : непосредственный.Губкин С.И. Пластическая деформация магниевых сплавов / С. И. Губкин, Л. Н. Могучий, М. И. Затуловский, 1955. - 138, [1] с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Макута И.Д. Фотоиндуцированные процессы на поверхности сильно легированных(вырожденных) оксидов металлов и полупроводниковых гетероструктур : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / И. Д. Макута, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный.Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов кремния, легированного германием : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. Н. Корляков, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Таскин А.А. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Таскин, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Materna R. Nachweis asymmetrischer Kopplungs-Matrizen in dotierten II-IV-Halbleitern mit Hilfe der Elektron-Kern-Doppelresonanz : Diss. / R.Materna, 1992. - 155 S. - Текст : непосредственный.Варламов А.Г. Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих Ян-Теллеровские комплексы примесных d-ионов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Г. Варламов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сягло А.И. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. И. Сягло, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный.Емец Е.Г. Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.02 / Е. Г. Емец, 2016. - 21 с. - Текст : непосредственный.Хвальковский Н.А. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Хвальковский, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный.Сосновский В.Р. Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Р. Сосновский, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный.Свойства легированных полупроводниковых материалов : Сб. науч. тр. / АН СССР, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова, 1990. - 256 c. - Текст : непосредственный.Агафонов А.И. Переходы изолятор-сверхпроводник-металл в легированных невырожденных полупроводниках : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А.И. Агафонов, 2005. - 37 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽