Приложение
для AndroidПолное описание
Буряков, А. М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков. - 2017. - 25 с. : ил. - Библиогр.: с. 23-25 (19 назв.). - 120 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 621.3.049.76-03(043) | |
| 621.384-022.532-03(043) | ||
| 621.315.592-416(043) |
Кл.слова (ненормированные): МАТЕРИАЛЫ -- МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-7386)
Шифр в сводном ЭК: 3d2d2a249156265191977fad045efd1e
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНикитина Е.А. Рентгенографические исследования структуры аморфных окислов алюминия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Никитина, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Васильева Г.Ю. Энергетический спектр электронов и элементарные процессы на поверхности ионных и ионно-ковалентных кристаллов с дефектами / Г. Ю. Васильева, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новикова Ю.А. Исследование оптических констант пленок фторидов в средней ИК области спектра и синтез на их основе ахроматических просветляющих покрытий / Ю. А. Новикова, 2015. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Кайдашев Е.М. Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур / Е. М. Кайдашев, 2018. - 48 с. - Текст : непосредственный.Усольцева Д.С. Электронная, атомная структура и фазовый состав композитных пленок Al-Si / Д. С. Усольцева, 2018. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тростянская Н.И. Получение активированным электронно-лучевым напылением пленок оксида индия, их электрофизические и оптические свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. И. Тростянская, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Исмаилов Д.В. Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / Д. В. Исмаилов, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Михеев В.А. Обеспечение качества новых функциональных материалов для теплопроводящих покрытий на стадии разработки и производства : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.02.23 / В. А. Михеев, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Завьялов Д.В. Кинетические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в сильных внешних полях : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04 / Д. В. Завьялов, 2010. - 29 с. - Текст : непосредственный.Kesmarszky T. Synthese und optische Eigenschaften von endstanding substituierten konjugierten Polyenen mit integrierter Bicyclo[2.2.2]octan-Einheit : Diss. / T.Kesmarszky, 1990. - 186 S. - Текст : непосредственный.Савенко О.В. Влияние кинетических эффектов на электрические и гальваномагнитные свойства тонких проводящих пленок и проволок : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.02 / О. В. Савенко, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный.Поройков С.Ю. Взаимосвязь фазового перехода полупроводник-металл и поверхностных явлений в пленках диоксида ванадия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.17 / С. Ю. Поройков, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный.Томина Е.В. Термическое окисление арсенида галлия и фосфида индия при участии хлоридов и оксохлоридов элементов IV-VI групп : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.01 / Е. В. Томина, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Шиляев П.А. Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. А. Шиляев, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Галанин С.Г. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым распылением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. Г. Галанин, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Шунаев В.В. Электронные свойства и энергетические параметры модифицированных графен-фуллереновых комплексов с позиции применения в наноэлектронике : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. В. Шунаев, 2016. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽