Полное описание
Матвеенко, И. П.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.3(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР94-2043)
Шифр в сводном ЭК: 3ad65056ba5450f6b8d0c6191c9bea83
Веселова Г.П. Статистическая точность и выбор параметров эксперимента при корреляционном анализе случайных процессов с экспоненциальной корреляционной функцией при наличии дополнительных шумов / Г. П. Веселова, Ю. С. Кулабухов, И. П. Матвеенко, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Веселов Г.П. Об одном методе сжатия информации при статистическом анализе случайных процессов / Г. П. Веселов, Ю. С. Кулабухов, И. П. Матвеенко, 1999. - 16 с. - Текст : непосредственный. Результаты измерений на критической сборке БФС-62-5 / В. Г. Двухшерстнов, А. Л. Кочетков, И. П. Матвеенко, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Матвеенко И.П. Конструктивно-технологические методы создания МДП-структур, основанные на исследовании физических и деградационных процессов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Матвеенко, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Appenzeller J. Quantentransistor im zweidimensionalen Elektronengas hoher Beweglichkeit : Diss. / J.Appenzeller, 1995. - 140 S. - Текст : непосредственный. Nieder J. Magnetotransportuntersuchungen an eindimensionalen Transistoren : Diss. / J.Nieder, 1992. - 168 S. - Текст : непосредственный. Матвеенко И.П. Конструктивно-технологические методы создания МДП-структур, основанные на исследовании физических и деградационных процессов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Матвеенко, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Сергеенко А.И. Структурно-параметрические методы компенсации сопутствующих нелинейностей транзисторных каскадов в режиме большого сигнала : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.12.17 / А. И. Сергеенко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Портных С.В. Переходные процессы в транзисторных ключах и способы повышения их быстродействия : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.04 / С. В. Портных, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.С. Эквивалентные частотные характеристики транзисторных ключевых устройств с отрицательной обратной связью (математическое моделирование, методика измерения и оптимизации) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.04 / В. С. Смирнов, 2007. - 17 с. - Текст : непосредственный. Дагесян С.А. Одноэлектронные транзисторы с высокой зарядовой энергией : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / С. А. Дагесян, 2017. - 23 с. - Текст : непосредственный. Яковлев Г.Е. Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и НЕМТ структурах с резко неоднородным легированием : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Г. Е. Яковлев, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Скворцов С.И. Нелинейные динамические режимы работы магнитодиодов и магнитотранзисторов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат.наук: 05.27.01 / С. И. Скворцов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный. Sypli A. Zur Untersuchung von Einzelelektroneneffekten in ultrakleinen Al-Al2O3-Al-Tunnelkontakten : Diss. / A.Sypli, 1998. - 106 S. - Текст : непосредственный. Marso M.A. GaInAs Cameltransistoren : Diss. / M.A.Marso, 1991. - 122 S. - Текст : непосредственный. Ильченко Г.П. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p+-n-переходом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Г. П. Ильченко, 1999. - 19 с. - Текст : непосредственный. Wallisser C. Einzelelektronentransistoren im Regime kleiner Widerstande : Diss. / C.Wallisser, 2002. - II,124 S. S. - Текст : непосредственный. Dilger M. Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronentransistoren : Diss. / M.Dilger, 1996. - 199 S. - Текст : непосредственный. Подгузова, Мария Андреевна. Драйверы с трансформаторной гальванической развязкой для высоковольтных силовых транзисторных ключей : специальность 2.4.2 - "Электротехнические комплексы и системы": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Подгузова Мария Андреевна, 2024. - 24 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
