Приложение
для AndroidПолное описание
Обзоры по электронной технике : обзорная информация / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.Департамент электрон. пром-сти. - Текст : непосредственный.
Вып. 16 (1687) : Электрофизические свойства твердых растворов Cd Hg Te и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе : по дан. отеч. и зарубеж. печати за 1986-1992 гг. / В.И.Туринов. - 1992. - 91 с. : ил. - 390 экз.
Библиогр.:с.77-91 (137 назв.). /Сер.1,СВЧ-техника/
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33.33 | 621.383.52 |
Рубрики:
Фотодиоды
Доп. точки доступа:
"Электроника", ин-т (Москва)
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/15125/16 (1687))
Шифр в сводном ЭК: 617bad3e22790a6cecfd5289fb4a5ec5
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1703) : Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем:По данным отеч.и зарубеж. печати за 1957-1991гг. / В.И.Туринов, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 16 (1687) : Электрофизические свойства твердых растворов Cd Hg Te и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1986-1992 гг. / В.И.Туринов, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.Туринов В.И. Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и CdxHg1-xTe и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / В. И. Туринов, 2004. - 37 с. - Текст : непосредственный.
Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 4(158) : Экономический анализ научно-информационной деятельности органов НТИ. Опыт ценообразования в НИД, 1989. - 51 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1481) : Сенсорные экраны : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1978-1988 гг. / Ю.А.Быстров,В.А.Степанов, 1989. - 39 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1511) : Методы и средства измерений магнитной индукции импульсных магнитных полей : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1969-1988 гг. / В.Н.Грудицин,В.Г.Тугарин, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный.Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 1(159) : Информационная продукция: Проблемы ценообразования и реализации, электронные выставки, полиэкранные установки, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1657) : Технологическое оборудование для плазменного напыления : По даннным отеч. и зарубеж. печати за 1967-1991 гг. / В.Н.Лясников,В.М.Райгородский, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1488) : Состояние и проблемы развития низковольтных керамических конденсаторов за рубежом : По дан. зарубеж. печати за 1982-1989 гг. / Н.А.Барсуков,В.С.Петропавловский,И.О.Трухина, 1989. - 71 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1464) : Возможности применения волоконно-оптических датчиков для измерения параметров магнитного поля : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1975-1988 гг. / О.А.Бузова,Е.ГДерюгина,А.С.Донецкий и др., 1989. - 72 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1433) : Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV /AIII BV : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1966-1989 гг. / А.В.Ерошкин,И.В.Закурдаев,Ю.Г.Садофьев и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 10(1460) : Автоматизация производства с помощью современных роботов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1988 гг. / Г.А.Дементиевская, 1989. - 62 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1485) : Электрический тестовый контроль на этапах создания интегральных схем : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1972-1988 гг. / С.М.Кузин,В.Н.Панасюк,В.Г.Мокеров,В.В.Исаев, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1513) : Зарубежные полимерные материалы для радиодеталей / И.А.Шентенкова,Н.И.Просвирова,Н.А.Нехороших, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 21(1505) : Многофункциональные генераторые СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1989 гг. / Ю.М.Безбородов,Н.И.Лелюх,Б.Н.Севергин, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 20(1503) : Лампы бегущей волны : По описаниям зарубеж. изобретей и дан. зарубеж. печати за 1976-1988 гг.ч. 1. Конструкции ЛБВ, электронно-оптических замедляющих систем, направления работ зарубежных фирм по усовершенствованию ЛБВ / Л.Ф.Тесленко,А.В.Иванова,И.К.Лысова и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1507) : Состояние и перспективы развития лазерной промышленности в капиталистических странах : По дан. зарубеж. печати за 1986-1989 гг. / Ю.Г.Дьякова,Е.К.Белоногова,Т.С.Калачева и др., 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1512) : Параметрическая оптимизация проектируемых устройств по критериям стоимости и качества / С.И.Дудов,В.П.Мещанов, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1435) : Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании / А.Г.Томашевский, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1509) : Высокотемпературная сверхпроводимостьч. 1. Природа сверхпроводимости, применение низкотемпературной сверхпроводимости: По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1976-1989 гг. / Г.Н.Шведов, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 11(1544) : Лазерно-химические реакции для получения элементов ИЭТ : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1977-1990 гг. / Ю.В.Серянов,Л.В.Аравина, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЛазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Иванов В.Ю. Поляризационно-оптические методы исследования и контроля физико-технических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники / В. Ю. Иванов, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Progress in nano-electro-optics IV / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Photonic crystals / J. Lourtioz, V. Benisty, J. Berger [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Optical imaging sensors and systems for homeland security applications / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineMid-infrared semiconductor optoelectronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineProgress in nano-electro-optics V / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ukita H. Micromechanical photonics / H. Ukita, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Frontiers in surface nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineSurface plasmon nanophotonics / SpringerLink (Online service), 2007 r=on-lineМеркишин Г.В. Шумы и оптимизация параметров фотоприемников / Г. В. Меркишин, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Калимуллин Р.И. Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра фз.-мат. наук / Р. И. Калимуллин, 2009. - 32 с. - Текст : непосредственный.Новиков С.Г. Позиционно- и координатно-чувствительные полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, 2012. - 151 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов С.В. Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники : специальность 05.17.02 "Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / С. В. Кузнецов, 2007. - 19 с. - Текст : непосредственный.Гуревич С.Б. Проблемы информационной оптоэлектроники / С. Б. Гуревич, Б. С. Гуревич, К. М. Жумалиев, 2008. - 209 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМатвеев Б.А. Широкополосные средневолновые инфракрасные фотодиоды на основе твердых растворов AIIIBV : монография / Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, А. Ю. Рыбальченко, 2017. - 116 с. - Текст : непосредственный.
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1703) : Фотодиоды на CdHgTe в составе оптико-электронных систем:По данным отеч.и зарубеж. печати за 1957-1991гг. / В.И.Туринов, 1994. - 38 с. - Текст : непосредственный.Филачев А.М. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков, 2011. - 447 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 16 (1687) : Электрофизические свойства твердых растворов Cd Hg Te и фотоэлектрические параметры фотодиодов на их основе : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1986-1992 гг. / В.И.Туринов, 1992. - 91 с. - Текст : непосредственный.Radovanovic S. High-speed photodiodes in standard CMOS technology / S. Radovanovic, A. Annema, B. Nauta, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Ильичев Н.Н. Нахождение функции отклика германиевых фотодиодов ФД-7г на длине волны 1,54 мкм / Н.Н. Ильичев, С.Е. Мосалева, Э.С. Гулямова, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бурлаков И.Д. Физические основы пороговых фотоприемников (ударная межзонная ионизация в полупроводниках) : учеб. пособие для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 200400 "Оптотехника" и 210100 "Электроника и наноэлектроника" / И. Д. Бурлаков, В. А. Холоднов, 2014. - 42 с. - Текст : непосредственный.Долбня И.П. Абсолютная спектральная чувствительность фотодиодных линеек в рентгеновском диапазоне 7-20 кэВ / И.П.Долбня,С.Г.Курыло, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Kuhn E.W. Untersuchung der Akzeptordiffusion an InP/InGaAs-Heterostrukturen : Diss. / E.W.Kuhn, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный.Аскеров К.А. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых слоистых полупроводниках / К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. Г. Амиров, 1991. - 126 с. - Текст : непосредственный.Орлова К.Н. Радиационные модели AlGaInP светоизлучающих диодов : монография / К. Н. Орлова, А. В. Градобоев, 2016. - 203 с. - Текст : непосредственный.Самарцев, Илья Владимирович. Излучающие и фоточувствительные гетероструктуры на длины волн более 1 мкм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs и Si : специальность 1.3.11. Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Самарцев Илья Владимирович, 2025. - 24 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Круглов О.В. Разработка и исследование приборов для измерения оптических параметров и характеристик светодиодов / О. В. Круглов, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ильичев В.А. Комплексы редкоземельных металлов с гетероциклическими лигандами для органических светоизлучающих диодов / В. А. Ильичев, 2011. - 25 с. - Текст : непосредственный.Ващенко А.А. Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка : специальность 01.04.21 "Лазерная физика" : диссертация на соискание ученой степени канд. фз.-мат. наук / А. А. Ващенко, 2009. - 26 с. - Текст : непосредственный.Электролюминесцентные органические светодиоды на основе координационных соединений металлов / А. С. Бурлов, В. Г. Власенко, Д. А. Гарновский [и др.], 2015. - 232 с. - Текст : непосредственный.Кижаев С.С. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. С. Кижаев, 2004. - 17 с. - Текст : непосредственный.Борзистая Е.Л. Прогнозирование условий жидкофазной гетероэпитаксии профилированных структур InP/Ga In P, As /nP для излучателей с 1,6 мкм : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. Л. Борзистая, 1998. - 27 с. - Текст : непосредственный.Мома Ю.А. Полупроводниковые источники излучения / Ю. А. Мома, 1989. - 36 с. - Текст : непосредственный.Хайрулина А.С. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе InGaN с люминофором : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Хайрулина, 2008. - 25 с. - Текст : непосредственный.Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный.Ионычев В.К. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя Р-N-перехода : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. К. Ионычев, 1999. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мармалюк А.А. Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Мармалюк, 1998. - 24 с. - Текст : непосредственный.Перелыгина О.М. Электролюминесценция композитов на основе полианилина и наноразмерных органических молекулярных кристаллов : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. М. Перелыгина, 2009. - 23 с. - Текст : непосредственный.Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды / Л. М. Коган, 1983. - 208 с. - Текст : непосредственный.Куроедов А.В. Методы и средства контроля и улучшения качества многосегментных PIN-фотодиодов с охранным кольцом : специальность 05.11.13 "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. В. Куроедов, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Аливов Я.И. Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Я. И. Аливов, 2005. - 15 с. - Текст : непосредственный.Ефремов А.А. Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ефремов, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Мышонков А.Б. Исследование характеристик светодиодных источников света при питании импульсным током / А. Б. Мышонков, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Вилисов А.А. Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение : специальность 01.04.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Вилисов, 2001. - 37 с. - Текст : непосредственный.Карташова А.П. Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала / А. П. Карташова, 2010. - 19 с. - Текст : непосредственный.Тарасов С.А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A\ВIII\в B\ВV\в для селективных фотоприемников : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. А. Тарасов, 2001. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽