Полное описание
> СВЧ-транзисторы фирмы "Ericsson" . - М. : ДОДЭКА, 2000. - 47 с. : ил. - (Библиотека электронных компонентов ; вып.19). - 3500 экз. - ISBN 5-94120-013-7. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 29.35.47 621.382.3.029.6
Рубрики: Транзисторы СВЧ
Кл.слова (ненормированные): СВЧ -- ТРАНЗИСТОР
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/16328/19)>
Шифр в сводном ЭК: 867d3d3d0c3ccc42828751e425c381a3
Термисторы фирмы Siemens & Matsushita, 1999. - 48 с. - Текст : непосредственный. Пьезокерамические излучатели и динамики фирмы Sonitron, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектронные приборы фирмы Kingbright, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Датчики фирмы "HoneywelI", 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Аналоговые и цифро-аналоговые микросхемы фирмы "Mitsubshi Electric", 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Оптоэлектронные приборы фирмы QT Optoelectronics, 2000. - 30 с. - Текст : непосредственный. Продукция фирмы "International Rectifier", 2000. - 78 с. - Текст : непосредственный. СВЧ-транзисторы фирмы "Ericsson", 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Датчики давления фирмы SenSym, 2000. - 62 с. - Текст : непосредственный. Продукция фирмы Crydom, 1999. - 48 с. - Текст : непосредственный. Варисторы и разрядники фирмы Siemens & Matsushita, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Силовая электроника фирмы HARRIS, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный. Mitsubishi Electric: силовые модули, 2001. - 47 с. - Текст : непосредственный. EPCOS: индуктивные компоненты, 2001. - 62 с. - Текст : непосредственный. INFINEON: МОП-компоненты CoolMOS, CoolSET, PFC-CoolSET, OptiMOS, thinQ!, 2002. - 30 с. - Текст : непосредственный. Epcos: индуктивные компоненты, 2002. - 62 с. - Текст : непосредственный. Протон-Импульс: оптоэлектронные компоненты коммутации и контроля, 2001. - 63 с. - Текст : непосредственный. Микросхемы SLIC фирмы "Harris", 1999. - 29 с. - Текст : непосредственный. Оптоэлектронные модули фирмы "Ericsson@, 2000. - 31 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Богданов Ю.И. Вынужденное излучение трубчатого электронного пучка в ондуляторе с переменным периодом / Ю. И. Богданов, 1990. - 10 с. - Текст : непосредственный. Баранов А.В. Транзисторные усилители-ограничители мощности в ключевых режимах с улучшенными частотными и энергетическими характеристиками : специальность 05.12.04 "Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения " : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Баранов, 2013. - 36 с. - Текст : непосредственный. Малков Н.А. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н. А. Малков, В. П. Шелохвостов, 2000. - 123 с. - Текст : непосредственный. Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный. Чапкевич А.Л. Исследование имплантационных методов формирования структур полупроводниковых СВЧ и фотодиодов : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. Л. Чапкевич, 2004. - 42 c. - Текст : непосредственный. Усанов Д.А. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, 1999. - 373 с. - Текст : непосредственный. Григорьева Н.Ю. Дипольно-обменные спиновые волны в периодических структурах на основе тонких ферромагнитных пленок : специальность 01.04.03 "Радиофизика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Ю. Григорьева, 2009. - 18 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1428) : Селективные СВЧ устройства на основе волноводно-планарных структур : По дан.отеч.и зарубеж.печати,1981-1988 гг. / А.В.Старунский,Г.Н.Шеламов, 1989. - 64 с. - Текст : непосредственный. Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды / А. И. Горбачев, С. В. Кукарин, 1968. - 64 c. - Текст : непосредственный. Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : выставочные материалы / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой, 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный. Фадеев А.В. Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и ее использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники / А. В. Фадеев, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный. Фролов А.П. Структуры с фотонной запрещенной зоной и их использование в ближнеполевой СВЧ-микроскопии / А. П. Фролов, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный. Градобоев А.В. Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. В. Градобоев, 2003. - 35 с. - Текст : непосредственный. Костров В.В. Y-параметры транзисторов для приемно-усилительной техники / В. В. Костров, В. В. Ромашов, С. С. Кривандин, 1995. - 64 c. - Текст : непосредственный. Данильцев В.М. Металлоорганическая газофазная эпитаксия гетероструктур на основе соединений Al-In-Ga-As для приборов миллиметрового диапазона длин волн : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. М. Данильцев, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Щука А.А. Микроэлектроника СВЧ-диапазона волн / А. А. Щука, 1998. - 78 с. - Текст : непосредственный. Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ, 1973. - 132 с. - Текст : непосредственный. Вызулин С.А. Обобщенные плоские волны в задачах электродинамики магнитогиротропных сред : специальность 01.04.03 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / С. А. Вызулин, 2000. - 38 с. - Текст : непосредственный. Вайнштейн Л.А. Лекции по сверхвысокочастотной электронике, 1973. - 399 с. - Текст : непосредственный. Чиненков М.Ю. Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями / М. Ю. Чиненков, 2009. - 25 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Мартынов Я.Б. Разработка методов моделирования и исследование лавинно-инжекционной неустойчивости в мощных полевых транзисторах СВЧ диапазона с целью повышения их выходной мощности : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Я. Б. Мартынов, 2014. - 24 с. - Текст : непосредственный. Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : выставочные материалы / А. Г. Васильев, Ю. В. Колоковский, Ю. А. Концевой, 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный. Костров В.В. Y-параметры транзисторов для приемно-усилительной техники / В. В. Костров, В. В. Ромашов, С. С. Кривандин, 1995. - 64 c. - Текст : непосредственный. Ткачев А.Ю. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов / А. Ю. Ткачев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Селезнев Б.И. Формирование ионно-легированных и тонкопленочных структур для СВЧ транзисторов и микросхем : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Б. И. Селезнев, 1994. - 32 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Ерофеев Е.В. Формирование контактов металл-полупроводник с металлизацией на основе Al и Cu для GaAs СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.04 / Е. В. Ерофеев, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный. СВЧ-транзисторы фирмы "Ericsson", 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный. Барсукова М.В. Расчет высокочастотных параметров транзисторов : Учебное пособие / М.В.Барсукова, 1990. - 68 с. - Текст : непосредственный. Семейкин И.В. Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления мощности : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / И.В. Семейкин, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Гуков П.О. Электродинамические эффекты в мощных СВЧ биполярных и МДП-транзисторах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / П. О. Гуков, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный. Зайцев А.А. Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт-литографии : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Зайцев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Кичаева Н.А. Параметры зарубежных СВЧ-изделий электронной техники.Транзисторные усилители мощности и мощные транзисторы / Н.А.Кичаева, 1994. - 35 c. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽