Приложение
для AndroidПолное описание
Балакирев, Н. А. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Балакирев. - Казань, 2014. - 16 с. - Библиогр.: с. 14-16. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592:669.046.516(043) |
Кл.слова (ненормированные): ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- КРЕМНИЙ -- МАГНИТНЫЕ КЛАСТЕРЫ -- СИЛИЦИДЫ ЖЕЛЕЗА
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-6157)
Шифр в сводном ЭК: 4a6e0b81d42e2e24b3ac35ae81bd6b9e
Балакирев Н.А. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Балакирев, 2014. - 16 с. - Текст : непосредственный.Формирование и управление качеством шубных и меховых овчин / В. И. Трухачев, Н. А. Балакирев, Ю. А. Юлдабашев [и др.], 2019. - 139 с. - Текст : непосредственный.
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыТалипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.
Баранов Г.В. Эффекты пространственного распределения дефектов и примесных атомов в слоистых структурах на основе Si при ионной имплантации : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. В. Баранов, 2018. - 22 с. - Текст : непосредственный.Карасев П.А. Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / П. А. Карасев, 2017. - 28 с. - Текст : непосредственный.Феклистов К.В. Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге: расслоение на стадии оствальдовского созревания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / К. В. Феклистов, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Балакирев Н.А. Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Балакирев, 2014. - 16 с. - Текст : непосредственный.Матасов М.Д. Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / М. Д. Матасов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Карабешкин К.В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Гуда А.А. Внедрение примесных атомов в наноразмерные полупроводники ZnO, AlN, InN: рентгеноспектральная диагностика и компьютерное моделирование : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Гуда, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный.Тимошина М.И. Влияние термообработки и легирования на свойства мнокристаллического кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. И. Тимошина, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.Еримеев Г.А. Особенности взаимодействия низкоэнергетических ионов аргона с поверхностью кристаллических моноарсенидов со структурой сфалерита : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. А. Еримеев, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Мараров, Всеволод Витальевич. Исследование самоорганизации фуллеренов C60 и C70 на модифицированной металлами поверхности Si(111) : специальность 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мараров Всеволод Витальевич, 2022. - 19 с. - Текст : непосредственный.Кононина, Анастасия Владимировна. Модификация свойств пористого кремния при помощи ионных пучков : 1.3.5 - физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Кононина Анастасия Владимировна, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный.Лядов, Николай Михайлович. Синтез нанокристаллических тонких плёнок оксида цинка ZnO и их модификация методом высокодозной ионной имплантации : специальность 1.3.8. Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Лядов Николай Михайлович, 2022. - 22 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽