Полное описание
Розанов, Р. Ю.
ГРНТИ УДК 47.59.33 621.316.86(043)
Кл.слова (ненормированные): МЕМРИСТОРЫ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-8517)
Шифр в сводном ЭК: 1693932a1118870952052ff1cce7c408
Композиционные электросетевые конструкции для энергоснабжения / В. П. Горелов, С. В. Горелов, В. С. Горелов, Е. А. Григорьев, 2016. - 442 с. - Текст : непосредственный. Термисторы фирмы Siemens & Matsushita, 1999. - 48 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1589) : Устойчивость электропереноса в резистивных материалах и слоях : По данным лтеч.и зарубеж.печати за 1970-1990 гг.Ч. 2. Влияние внутренних факторов на устойчивость электропереноса / Р.Р.Аванесян, 1990. - 56 с. - Текст : непосредственный. Сплавы КАНТАЛ для электрических сопротивлений : методический материал / "КАНТАЛ", акционерное о-во (Гальстагаммар), 1944. - 112 с. - Текст : непосредственный. Hoffmann H.-P. Widerstande und Kondensatoren : монография / H.-P. Hoffmann, 1990. - 128 S. - Текст : непосредственный. Иванов Н.И. Совершенствование технологии контактной микросварки Т-образных соединений покрытых деталей в массовом производстве резисторов : специальность 05.03.06 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / Н. И. Иванов, 1996. - 20 с. - Текст : непосредственный. Гендин Г.С. Все о резисторах : монография / Г. С. Гендин, 2000. - 191 с. - Текст : непосредственный. Гильмутдинов А.Х. Модели оценки сопротивления пленочных контактов и резисторов с распределенными параметрами / А. Х. Гильмутдинов, Ю. П. Ермолаев, 2005. - 75 с. - Текст : непосредственный. Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3d -окислов. Параметры, характеристики и области применения, 1973. - 415 с. - Текст : непосредственный. Недорезов В.Г. Исследование процессов формирования структуры и электрических свойств керметных толстых пленок и оптимизация технологических режимов их изготовления : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. Г. Недорезов, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный. Врублевский Л.Е. Разработка конструкций и технологии промышленного производства бетэловых резисторов для высоковольтного аппаратостроения : специальность 05.09.06 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени орме науч. докл. / Л. Е. Врублевский, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный. Беляев А.О. Разработка и исследование моделей элементов и устройств сбора и обработки сигналов терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления / А. О. Беляев, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный. Анохин А.С. Функциональные керамические материалы на основе хромита лантана / А. С. Анохин, 2013. - 22 с. - Текст : непосредственный. Зайцев Ю.В. Переменные резисторы / Ю. В. Зайцев, 1974. - 359 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Врублевский Л.Е. Разработка конструкций и технологии промышленного производства бетэловых резисторов для высоковольтного аппаратостроения : специальность 05.09.06 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени орме науч. докл. / Л. Е. Врублевский, 1991. - 40 с. - Текст : непосредственный. Теплов Г.С. Разработка модели искусственного нейрона с динамической функцией активации на базе мемристивных компонентов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Г. С. Теплов, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Горшков К.В. Исследование и разработка технологии создания мемристоров на основе композитных материалов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / К. В. Горшков, 2012. - 27 с. - Текст : непосредственный. Розанов Р.Ю. Исследование мемристорного эффекта в тонких пленках хлоридов меди и хрома : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Р. Ю. Розанов, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный. Механика жидкости и газа. - Журнал, 2002г. № 2. - Текст : непосредственный. Манчук Р.В. Феноменалогические основы технологии энергетических резисторов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.14.02, 05.23.05 / Р. В. Манчук, 2000. - 42 с. - Текст : непосредственный. Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Бобылев, Андрей Николаевич. Магнетронная технология изготовления и электрические свойства мемристора на основе смешанных оксидов металлов : специальность: 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Бобылев Андрей Николаевич, 2021. - 24 с. - Текст : непосредственный. Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный. Корнеев, Иван Александрович. Колебания и бифуркации в системах с мемристивными элементами : 1.3.4. - Радиофизика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Корнеев Иван Александрович, 2021. - 20 с. - Текст : непосредственный. Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : 01.04.04 - Физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Михеев Виталий Витальевич, 2021. - 26 с. - Текст : непосредственный. Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : 01.04.10 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Андреева Наталья Владимировна, 2022. - 34 с. - Текст : непосредственный. Мацукатова, Анна Никосовна. Эффекты резистивного переключения в структурах на основе поли-п-ксилилена с наночастицами серебра : 1.3.8. - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Мацукатова Анна Никосовна, 2022. - 23 с. - Текст : непосредственный. Никонов, Александр Евгеньевич. Электрические свойства нанокомпозитов Co40 Fe40 B20 -LiNbO3 и мемристорных структур на их основе : специальность: 1.3.8. Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Никонов Александр Евгеньевич, 2023. - 23 с. - Текст : непосредственный. Гисматулин, Андрей Андреевич. Транспорт заряда в бесформовочных мемристорах на основе оксида и нитрида кремния : 1.3.11 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Гисматулин Андрей Андреевич, 2023. - 21 с. - Текст : непосредственный. Будаев, Артем Викторович. Электрофизические свойства мемристоров на основе двухслойного полимерного композита полианилин-поли(винилиденфторид-трифторэтилен) : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Будаев Артем Викторович, 2023. - 27 с. - Текст : непосредственный. Воронковский, Виталий Александрович. Механизмы переноса заряда в мемристорах на основе оксидов гафния и циркония : специальность 1.3.11 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Воронковский Виталий Александрович, 2023. - 25 с. - Текст : непосредственный. Исаев, Александр Геннадьевич. Процессы кристаллизации и образования проводящих филаментов в структурах на основе оксида и оксинитрида гафния : специальность 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Исаев Александр Геннадьевич, 2025. - 27 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
