Приложение
для AndroidПолное описание
Взаимодействие экситонов в полупроводниках / С. А. Москаленко [и др.]; [отв. ред. В. А. Москаленко] ; Академия наук Молдавской СССР, Институт прикладной физики. - Кишинев : Штиинца, 1974. - 211 с. : ил. - Библиогр.: с. 197-209 (333 назв.). - 1000 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:548.4 |
Рубрики:
Экситоны
Доп. точки доступа:
Москаленко, С.А.
Бобрышева, А.И.
Леляков, А.В.
Миглей, М.Ф.
Хаджи, П.И.
Москаленко, В.А.\ред.\
Институт прикладной физики (Кишинев)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/36613)
Шифр в сводном ЭК: f3dfe3b30f56c04fc59b3612a3f3cb9e
Москаленко В.А. Электрон-фононное взаимодействие сильно скорректированных систем. Предел сильной связи / В. А. Москаленко, 1997. - 6 с. - Текст : непосредственный.Взаимодействие экситонов с лазерным излучением : сборник / Институт прикладной физики (Кишинев), 1991. - 173 с. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Electron-phonon coupling for the system with strong electron correlations / В. А. Москаленко, L. A. Dogotaru, I. G. Porcescu, 1996. - 3 p. - Текст : непосредственный.Шафигин З.К. Диффузионные характеристики металлов и сплавов / З. К. Шафигин, В. И. Грызунов, В. А. Москаленко, 2000. - 222 с. - Текст : непосредственный.
Экономика природопользования и ресурсосбережения : учеб. пособие / А. П. Москаленко [и др.], 2014. - 479 с. - Текст : непосредственный.Взаимодействие экситонов в полупроводниках / С. А. Москаленко [и др.]; [отв. ред. В. А. Москаленко], 1974. - 211 с. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Комплекс мер обеспечения качества стали для труб в северном исполнении : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.16.01 / В. А. Москаленко, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Всеволод Анатольевич Москаленко : к 80-летию со дня рождения / Объед. ин-т ядер. исслед., 2008. - 88 с. - Текст : непосредственный.Вопросы квантовой теории конденсированных сред : Сб. ст. / АН ССР Молдова. Ин-т прикл. физики, 1990. - 143 c. - Текст : непосредственный.Экситоны и биэкситоны в размерно-ограниченных системах : Сб. ст. / АН ССРМ. Ин-т прикл. физики, 1990. - 183 c. - Текст : непосредственный.Нелинейные оптические свойства экситонов в полупроводниках различной размерности : Сб. ст. / АН Республики Молдова. Ин-т прикл. физики, 1992. - 177 с. - Текст : непосредственный.Оценка радиоэкологической обстановки в пойме реки Теча в 2012 г. / В. М. Кузнецов [и др.]. - Текст : непосредственный // Биосфера. - СПб. - 2012. - Т. 4 № 4. - с. 468-473Москаленко В.А. Метод самосогласованного поля в теории стекольного состояния спиновых и квадрупольных систем / В.А.Москаленко,М.И.Владимир,С.П.Кожукарь;Под ред. М. Е. Палистрант, 1990. - 283 c. - Текст : непосредственный.Москаленко С.А. Экономические аспекты экологически устойчивого процесса обеспечения повышения качества питьевого водоснабжения городов (на примере г.Новочеркасска Ростовской области) : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / С. А. Москаленко, 2006. - 24 с. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Метод исследования плотностей электронных состояний сверхпроводящих сплавов / В. А. Москаленко, 1974. - 148 с. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Радиоактивная загрязненность природного газа / В.А. Москаленко, Б.А. Чепенко. - Текст : непосредственный // Газовая промышленность. - М. - 2004. - № 3. - с. 76-78Англо-русский словарь терминов в области радиосвязи и телекоммуникации : (около 3000 терминов) / "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (РНИИРС) Федеральный научно-производственный центр, 2022. - 76 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Родионов Д.М. Диагностика синусового ритма и мерцательной аритмии средствами искусственного интеллекта / Д. М. Родионов, Д. А. Карчков, В. А. Москаленко, А. В. Никольский [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы информатики : журнал / Институт вычислительной математики и математической геофизики (Новосибирск), Институт информационных и вычислительных технологий МОН РК. - Новосибирск : ИВМиМГ СО РАН, 2022. - N 1. - с. 77-88
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Взаимодействие экситонов с лазерным излучением : сборник / Институт прикладной физики (Кишинев), 1991. - 173 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие экситонов в полупроводниках / С. А. Москаленко [и др.]; [отв. ред. В. А. Москаленко], 1974. - 211 с. - Текст : непосредственный.Электролитическое осаждение железа / Ю.Н.Петров,Г.В.Гурьянов,Ж.И.Бобанова и др.;Под ред. Г. Н. Зайдмана;, 1990. - 195 c. - Текст : непосредственный.Кинетические процессы в молекулярных и твердотельных системах : Сб. науч. тр. / АН ССРМ, Ин-т прикл. физики, 1991. - 130 c. - Текст : непосредственный.Малиновский Т.И. Определение атомной структуры кристаллов / Т. И. Малиновский, 1973. - 116 с. - Текст : непосредственный.Электронная обработка материалов : Науч.и произв.-техн.журн. / Академия наук Республики Молдова. Ин-т прикл. физики. - Журнал. - Текст : непосредственный.Вопросы квантовой теории конденсированных сред : Сб. ст. / АН ССР Молдова. Ин-т прикл. физики, 1990. - 143 c. - Текст : непосредственный.Экситоны и биэкситоны в размерно-ограниченных системах : Сб. ст. / АН ССРМ. Ин-т прикл. физики, 1990. - 183 c. - Текст : непосредственный.Многокомпонентные халькогениды AIIB2ШC4VI : Сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики, 1990. - 165 c. - Текст : непосредственный.Коварский В.А. Многоквантовые переходы / В. А. Коварский, 1974. - 227, [1] с. - Текст : непосредственный.Коррозия и защита металлов : Сб.ст. / АН Республики Молдова,Ин-т приклад.физики, 1992. - 143 с. - Текст : непосредственный.Стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники : Сб. ст. / АН ССРМ, Ин-т прикл. физики, 1991. - 198 c. - Текст : непосредственный.Кинетические эффекты в молекулярных и твердотельных системах во внешних полях : Сб. ст. / АН МССР, Ин-т прикл. физики, 1990. - 112 c. - Текст : непосредственный.Москаленко В.А. Метод исследования плотностей электронных состояний сверхпроводящих сплавов / В. А. Москаленко, 1974. - 148 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мякенькая Г.С. Моделирование структуры дефектов в кремнии методами молекулярной динамики и квантовой химии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Г. С. Мякенькая, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Drabold D.A. Theory of defects in semiconductors / D. A. Drabold, S. Estreicher, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Немов С.А. Резонансные примесные состояния в полупроводниках и связанная с ними сверхпроводимость / С. А. Немов, П. А. Осипов, Р. В. Парфеньев, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Вывенко О.Ф. Структура и электронные свойства дислокационного сульфида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / О. Ф. Вывенко, 1994. - 29 с. - Текст : непосредственный.Корреляция малоуглового рассеяния света с типом ростовых микродефектов структуры в бездислокационном бестигельном кремнии / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Weber G. EBIC-Untersuchungen an Schraubenversetzungen in Gallium-Arsenid / G. Weber, 1990. - 77 S. - Текст : непосредственный.Старухин А.Н. Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Н. Старухин, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пальчик Г.В. Электронные свойства и кинетика образования бистабильных термодоноров в германии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Г. В. Пальчик, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зобов Е.М. Фотоэлектрические и оптические свойства халькогенидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Е. М. Зобов, 1999. - 42 с. - Текст : непосредственный.Половцев И.С. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в легированном кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. С. Половцев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Красновский О.А. Оптические исследования изоэлектронных уровней в GaP под давлением до 9 ГПа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / О. А. Красновский, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев М.А. Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. А. Абдуллаев, 2006. - 41 с. - Текст : непосредственный.Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гольдфарб М.В. Электронная структура и оптические свойства примесей на дислокациях в полупроводниках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / М. В. Гольдфарб, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Жаркой В.П. Теоретическое исследование спектра экситонных состояний магнитнопримесных и ионных кристаллов в магнитном поле : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Жаркой, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Shallow impurities in semiconductors : материалы временных коллективов / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Окунев А.О. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами / А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук, 2006. - 252 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания