• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Технология выращивания кристаллов нитрида галлия / . ; под ред. Д. Эрентраута и др.; пер. с англ. К. В. Юдинцева; под ред. В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. - М. : Техносфера, 2011 (Чебоксары). - 383 с. : ил. - (Мир радиоэлектроники). - 1500 экз. - ISBN 978-5-94836-293-9. - Текст : непосредственный.
    Содержание:
    Рынок объемных кристаллов GaN : Часть 1. - С. 18-50
    Развитие рынка подложек из объемного GaN : Глава 1. - С. 18
    Технология выращивания из паровой фазы : Часть 2. - С. 51-170
    Хлорид-гидратная эпитаксия GaN из паровой фазы : Глава 2. - С. 51
    Выращивание объемных кристаллов GaN с помощью эпитаксии из гидридной паровой фазы на затравках монокристаллического GaN : Глава 3. - С. 85
    Изготовление отдельных GaN-пластин на основе эпитаксии из гидридной паровой фазы и с использованием метода отслоения по линии пустот на интерфейсе : Глава 4. - С. 107
    Выращивание полярных и неполярных кристаллов GaN с помощью метода HVPE : Глава 5. - С. 127
    Высокоскоростной эпитаксиальный метод выращивания с помощью осаждения металлорганических соединений из газовой фазы (MOVPE) : Глава 6. - С. 154
    Технология выращивания из раствора : Часть 3. - С. 171-250
    Аммонотермальное выращивание GaN в аммоноосновном режиме : Глава 7. - С. 171
    Пути раелизации аммонотермального метода выращивания объемного GaN : Глава 8. - С. 199
    Технология кислотно-аммонотермального выращивание GaN : Глава 9. - С. 226
    Технология выращивания из расплава : Часть 4. - С. 251-333
    Выращивание нитрида галлия из раствора под высоким давлением : Глава 10. - С. 251
    Краткий обзор использования медота Na-Flux для выращивания кристаллов GaN большого размера : Глава 11. - С. 285
    Выращивание нитрида галлия в растворе низкого давления : Глава 12. - С. 297
    Описание характеристик кристаллов GaN : Часть 5. - С. 334-383
    Оптические свойства подложек из GaN : Глава 13. - С. 334
    Исследование точечных дефектов и примесей в объемном GaN с помощью спектроскопии позитронной аннигиляции : Глава 14. - С. 356
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:548.5

    Рубрики:
    Галлий, нитриды -- Кристаллизация

    Аннотация: Анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе CaN. Мотивация и задачи по внедрению данной технологии в конкретные производства.
    Доп. точки доступа:
    Эрентраут, Д.\ред.\

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-11/51713)

    Шифр в сводном ЭК: 29e329de7e1305be4202659a1f9585f5



    Заказ фрагмента документа ₽