Полное описание
> Bording, J. K. Do amorphous semiconductors consist of deformed microcrystals / J.K.Bording,J.Tafto. - Oslo : [s. n.], 1995. - 11 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo ; 95-07). - Текст : непосредственный. Библиогр.:с.11
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322
Рубрики: Полупроводники аморфные
Доп. точки доступа: Tafto, J.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15656/95-07)>
Шифр в сводном ЭК: d60af5a70b3995e5077da6806a955c49
The unfolding of continuum y-ray spectra / M. Guttormsen, T. S. Tveter, L. Bergholt, F. Ingebretsen, 1996. - 12 p. - Текст : непосредственный. Berg B.S. Intensity measurements of diffraction patterns by means of a CCD-camera coupled to an image analysis system / B. S. Berg, 1996. - 26 p. - Текст : непосредственный. Burgess M. Some notes on the effective action and its interpretation / M. Burgess, 1993. - 33 p. - Текст : непосредственный. Hjorth-Jensen M. Realistic effective interactions for nuclear systems / M. Hjorth-Jensen, T. T.S. Kuo, E. Osnes, 1994. - 204 p. - Текст : непосредственный. Search for an optimum model space for MBHF calculations of nuclear matter / L. Engvik, M. Hjorth-Jensen, T. T.S. Kuo, E. Osnes, 1994. - 11 p. - Текст : непосредственный. Danielsen K.M. Polarized gluon bremsstrahlung observed in the reaction p+->p->pП+П-Пo+p. / K. M. Danielsen, T. Jacobsen, H. A. Olsen, 1991. - 10 p. - Текст : непосредственный. Danielsen K.M. narrow neutral three-pion system at 1170 MeV/c2 seen in pp-reactions at 19 GeV/c / K. M. Danielsen, T. Jacobsen, 1991. - 6 p. - Текст : непосредственный. Bjerke B. Datalogger for energimalinger : монография / B. Bjerke, 1993. - 19 s. - Текст : непосредственный. MAMA : сборник научных трудов / Ред.written by M. Guttormsen, 1994. - 29 p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Madan A. physics and applications of amorphous semiconductors / A. Madan, M. P. Shaw, 1988. - X,545 p. p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Bording J.K. Do amorphous semiconductors consist of deformed microcrystals / J.K.Bording,J.Tafto, 1995. - 11 p. - Текст : непосредственный. Мица В.М. Колебательные спектры и структурные корреляции в бескислородных стеклообразных сплавах : Учеб. пособие для студентов спец. "Физика" / В.М.Мица, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный. Минаев В.С. Стеклообразные полупроводниковые сплавы / В.С.Минаев, 1991. - 406 с. - Текст : непосредственный. Исаев А.И. Некоторые электронные процессы в аморфной системе Se - As / А. И. Исаев, С. И. Мехтиев, Р. Б. Султанов, 1991. - 22 с. - Текст : непосредственный. Деструкционно-полимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.1.Индуцированные процессы и дефекты / О.И.Шпотюк,К.К.Шварц,В.Н.Корнелюк и др., 1991. - 62 с. - Текст : непосредственный. Деструкционно-полимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.2.Математическое моделирование / О.И.Шпотюк,К.К.Шварц,В.Н.Корнелюк и др., 1991. - 105 с. - Текст : непосредственный. Bording J.K. A model of amorphous tetrahedrally coordinated semiconductors based on deformed microcrytals / J.K.Bording,J.Tafto, 1996. - 9 p. - Текст : непосредственный. Попов А.И. Атомная структура некристаллических полупроводников : Учеб. пособие по курсу "Физика и технология некристал. полупроводников" / А.И.Попов,Н.И.Михалев;Под ред.В.А.Фиалкова, 1992. - 97 с. - Текст : непосредственный. Березин В.М. Суперионные полупроводниковые халькогениды / В.М.Березин,Г.П.Вяткин, 2001. - 135 с. - Текст : непосредственный. Замараев В.Н. Методы исследований физико-химических свойств Me-Ge сплавов, пленок М/ХСП и их применение в технике : Монография / В.Н. Замараев, 2004. - 338 с. - Текст : непосредственный. Меден А. Физика и применение аморфных полупроводников / А.Меден,М.Шо;Пер. с англ. С. А. Костылева., 1991. - 670 с. - Текст : непосредственный. Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный. Гребенник А.В. Оптико-тензиметрическое исследование нестехиометрии CdTe, ZnSe и ZnTe : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. В. Гребенник, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽