ГПНТБ России - Полное описание

Государственная публичная
научно-техническая библиотека России

Основана в 1958 году

Полное описание

Температурные зависимости кинетических характеристик арсенида галлия и нелинейные модели электротепловых полей в неоднородных полупроводниках / Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов,Г.И.Снарская и др. - Киев : [б. и.], 1989. - 27 с. - ; 615. - 150 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 26 (17 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.09.29	621.315.592(04)

Доп. точки доступа:
Глушков, Е.А.
Резцов, В.Ф.
Снарская, Г.И.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/18584/615)

Шифр в сводном ЭК: 4ef5bb1f37b3bf8aade55fb0496c3d96

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Температурные зависимости кинетических характеристик арсенида галлия и нелинейные модели электротепловых полей в неоднородных полупроводниках / Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов,Г.И.Снарская и др., 1989. - 27 с. - Текст : непосредственный.Электрические параметры распределенных схем замещения неоднородно проводящих сред с нелинейными элементами / А.П.Бурдак,Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов и др., 1989. - 19 с. - Текст : непосредственный.Нелинейные электротепловые структуры при омическом нагреве плазменных образований при разрядках в жидкостях / Л.Н.Заседка,А.А.Посохов,В.Ф.Резцов и др., 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Потенциал и перспективы использования возобновляемых источников энергии в Украине / М. М. Мхитарян [и др.]. - Текст : непосредственный // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). - Саров. - 2011. - № 8. - с. 150-163

Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cd_xHg_1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный.Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.

Показать все результаты

Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.

Лицевая сторона карточки	Обратная сторона карточки

Температурные зависимости кинетических характеристик арсенида галлия и нелинейные модели электротепловых полей в неоднородных полупроводниках / Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов,Г.И.Снарская и др., 1989. - 27 с. - Текст : непосредственный.Особенности электронных и фононных процессов в эвтектиках на основе полупроводников A В / М.И.Алиев,Д.Г.Араслы,З.А.Джафаров и др., 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Хлупин С.И. Микродозиметрическое описание энерговыделения в субмикронных областях кремния, облучаемых тяжелыми ионами / С.И.Хлупин,А.Ф.Аккерман, 1990. - 14 с. - Текст : непосредственный.Эффект полной эксклюзии носителей тока в "чистых" полупроводниках с неинжектирующими контактами / Д.А.Аронов,Б.Р.Мамуткулов,Б.Х.Валиев и др., 1990. - 28 с. - Текст : непосредственный.

Температурные зависимости кинетических характеристик арсенида галлия и нелинейные модели электротепловых полей в неоднородных полупроводниках / Е.А.Глушков,В.Ф.Резцов,Г.И.Снарская и др., 1989. - 27 с. - Текст : непосредственный.

Заказ фрагмента документа ₽