Приложение
для AndroidПолное описание
Гаврищук, Е. М. Получение высокочистого селенида цинка для ИК-оптики : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук :02.00.19 / Е. М. Гаврищук. - Н. Новгород, 2000. - 47 с. + 100 экз. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос. акад. наук, Ин-т химии высокочистых веществ. Библиогр. : с.44-47(40 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.57 | 621.384.3.002.3(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР02-сф113)
Шифр в сводном ЭК: f8f4ecf77ec389b1e77a71f5cfae7e82
Развитие современных методов защиты работающих на предприятиях сельскохозяйственной отрасли : монография / Т. И. Белова, Е. М. Агашков, Е. М. Гаврищук [и др.], 2019. - 303 с. - Текст : непосредственный.Гаврищук Е.М. Получение высокочистого селенида цинка для ИК-оптики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук :02.00.19 / Е. М. Гаврищук, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный.Гаврищук Е.М. Материалы для инфракрасной оптики. Получение. Свойства. Применение : учеб. пособие / Е. М. Гаврищук, 2015. - 265 с. - Текст : непосредственный.Изучение поведения фуллерита C60 при газостатической обработке в Ar около и за границей его термической устойчивости / А. И. Кириллов, В. Н. Сивков, Д. В. Вялых [и др.], 2011. - 254 с. - Текст : непосредственный // Нанотехнологии - производству 2010 : тр. Междунар. науч.-практ. конф., 1-3 дек. 2010 г., Фрязино. - М. - 2011. - с. 75-80
Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный.Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный.Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN пленках / О. В. Окунев, Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев [и др.], 2014. - 127 с. - Текст : непосредственный.Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный.Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный.Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный.Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный.Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСтариченко Г.П. Пироэлектрический эффект в объемных образцах при поперечной и продольной схемах измерения : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Г. П. Стариченко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Протасов Д.Ю. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в пленках МЛЭ р-Cd Hg Te : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Ю. Протасов, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный.Селим-Заде Расул Иса.Энергетическая диаграмма примесных состояний и явления переноса заряда в бесщелевом Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Селим-Заде Расул Иса, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ерохов В.Ю. Гальваномагнитные эффекты и структурные несовершенства в объемных кристаллах и эпитаксиальных слоях Hg CdxTe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Ю. Ерохов, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Григорьев Л.В. Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Л. В. Григорьев, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Сметанин С.В. Влияние примесей кислорода, углерода и серы на оптические потери в стеклообразном As2Se3 : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.01 / С. В. Сметанин, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гаврищук Е.М. Получение высокочистого селенида цинка для ИК-оптики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук :02.00.19 / Е. М. Гаврищук, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный.Лавров Э.В. Тонкая структура спектров рекомбинационного излучения экситонов,связанных на изоэлектронных ценрах в кремнии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Э. В. Лавров, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный.Каплунов И.А. Выращивание крупногабаритных монокристаллов германия для ИК оптики : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук:01.04.07 / И. А. Каплунов, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Георгицэ Е.И. Магнитофотолюминесцентные и фотоэлектрические свойства полумагнитных полупроводников на основе марганца : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. И. Георгицэ, 1991. - 32 с. - Текст : непосредственный.Тихонова Е.Л. Выделение селена, оксидов селена и цинка из отходов, образующихся при получении и переработке CVD - ZnSe : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.01 / Е. Л. Тихонова, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Алтухов И.В. Излучение и электрические домены, обусловленные разогревом носителей заряда электрическим полем, в арсениде галлия и одноосно деформированном германии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / И. В. Алтухов, 1993. - 28 с. - Текст : непосредственный.Беляев А.Е. Кинетические явления в твердых растворах на основе А В в условиях проявления композиционных и спиновых флуктуаций : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Е. Беляев, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Велиюлин Э.И. Электромодуляционная спектроскопия поверхности полупроводниковых материалов ИК техники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Э. И. Велиюлин, 1990. - 44 с. - Текст : непосредственный.Спивак Ю.М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ю. М. Спивак, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Воеводина О.В. Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. В. Воеводина, 2002. - 41 с. - Текст : непосредственный.Ерофеев В.Н. Влияние структурных превращений на механические и оптические свойства ионных кристаллов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:01.04.07 / В. Н. Ерофеев, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽