Полное описание
Фомин, А. В.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.315.592.9.002(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар05-3515)
Шифр в сводном ЭК: 14eca54a98dc512068d9a1557ff43f69
Автоматизация проектирования матричных КМОП БИС / А. В. Назаров, А. В. Фомин, Н. Л. Дембицкий ; Ред. А. В. Фомин, 1991. - 256 с. - Текст : непосредственный. Сборник справочных, учебных и методических материалов / Федер. служба по воен.-техн. сотрудничеству. Кн. 2 : Экспортный контроль в отношении продукции военного назначения / А. Г. Обельчак [и др.] ; под ред. А. В. Фомина, 2010. - 191 с. - Текст : непосредственный. Сборник справочных, учебных и методических материалов / Федер. служба по воен.-техн. сотрудничеству. Кн. 3 : Лицензирование в Российской Федерации вывоза и ввоза продукции военного назначения / А. Г. Обельчик [и др.] ; под ред. А. В. Фомина, 2010. - 255 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Фомин А.В. Исследование формоизменения заготовки, полученной винтовой прошивкой, для производства железнодорожных колес : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.16.05 / А. В. Фомин, 2015. - 23 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Обоснование рациональных параметров устройств поперечной компенсации электротехнических систем электротехнологий : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.03 / А. В. Фомин, 2009. - 23 с. - Текст : непосредственный. Радиометрист : Учеб. для проф. обучения рабочих на пр-ве / В.А.Царицын,Т.М.Комарова,А.В.Фомин,Ю.В.Хромов;Под ред. В. А. Царицына, 1991. - 141 c. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.21 / А. В. Фомин, 2005. - 14 с. - Текст : непосредственный. Автоматизация процессов механосборочного производства : Сб.ст. / Ред. А. В. Фомин, 1975. - 243 c. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Анализ электрической нагрузки элементов при оценке надежности интегральных радиоэлектронных устройств : Учеб.пособие / А.В.Фомин,О.Н.Умрихин, 1994. - 56 c. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Спецификация и синтез программного обеспечения защищенных информационных систем на основе расширенных концептуальных моделей : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.11 / А. В. Фомин, 2003. - 20 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Регулирование и оптимизация режимов работы систем охлаждения технологического газа на компрессорных станциях магистральных газопроводов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 25.00.19 / А. В. Фомин, 2012. - 26 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Оценка и прогнозирование эксплуатационно-технического состояния жестких аэродромных покрытий : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.23.11 / А. В. Фомин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Адаптивное управление печами отжига металла на основе нейросетевой настройки параметров линейных регуляторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.06 / А. В. Фомин, 2018. - 20 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Научно-методические основы комплексного обоснования биополимерного воздействия при разработке месторождений нефти : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.15.06 / А. В. Фомин, 1998. - 25 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Формирование организационно-экономического механизма повышения эффективности предприятий инфраструктуры водоснабжения и водоотведения в регионе : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / А. В. Фомин, 2009. - 29 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Допуски в радиоэлектронной аппаратуре / А. В. Фомин, В. Ф. Борисов, В. В. Чермошенский, 1973. - 129 с. - Текст : непосредственный. Михеев А.В. СУ-34 / А.В.Михеев,А.В.Фомин, 1995. - 55 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Повышение безопасности труда пожарных при тушении пожаров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.26.01 / А. В. Фомин, 1992. - 24 с. - Текст : непосредственный. Фомин А.В. Испытания и сдача судовых энергетических установок : учебное пособие / А. В. Фомин, Е. В. Фомин, 2019. - 139 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Kamp M. Metallorganische Molekularstrahlepixtaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs / M. Kamp, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Садофьев С.Ю. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. Ю. Садофьев, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный. Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный. Варнаков С.Н. Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. Н. Варнаков, 2005. - 19 с. - Текст : непосредственный. Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. Я. Злотникова, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный. Балашев В.В. Формирование поверхности SI(III) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Балашев, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный. Баранник А.А. Исследование кристаллогенезиса полупроводников AIIIBV из висмутсодержащих расплавов (на примере InSbBi, AllnSbBi) : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Баранник, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный. Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / П. И. Разумовский, 2000. - 13 с. - Текст : непосредственный. Жаринова Н.Н. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Н. Жаринова, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный. Кочковая Н.В. Математическое моделирование роста многокомпонентных твердых растворов А В : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. В. Кочковая, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный. Яновицкая З.Ш. Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / З. Ш. Яновицкая, 2003. - 31 . - Текст : непосредственный. Попов А.И. Формирование структуры многокомпонентных твердых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимися ковалентными радиусами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Попов, 2004. - 26 с. - Текст : непосредственный. Андреев А.Ю. Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Ю. Андреев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный. Ховив Д.А. Формирование тонкопленочных оксидосодержащих гетероструктур : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Ховив, 2008. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
