Полное описание
Путролайнен, В. В.
ГРНТИ УДК 50.11.31 004.33.076.4(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-4485)
Шифр в сводном ЭК: a4fc554f7ac8aebd4971765eb19bb42f
Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный. Компьютер на флешке. Работающие Windows, Linux, офис и 150 самых полезных программ у вас в кармане / В. Д. Королев, Д. Н. Колисниченко, Д. П. Горячев, Р. Г. Прокди, 2009. - 251 с. - Текст : непосредственный. Нгуен Хуи Фук.Оптические свойства тонких пленок Ge2 Sb2 Te5 и влияние на них легирующих примесей / Нгуен Хуи Фук, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный. Кириченко П.Г. Быстродействующие многопортовые статические КМОП ОЗУ : специальность 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / П. Г. Кириченко, 2003. - 23 c. - Текст : непосредственный. Mahapatra S. Hybrid CMOS single-electron-transistor device and circuit design / S. Mahapatra, A. M. Ionescu, 2006. - XVII, 218 p. - Текст : непосредственный. Игумнов Д.В. Цифровые транзисторные элементы / Д. В. Игумнов, Г. П. Костюнина, 1998. - 63 с. - Текст : непосредственный. Hemink G.J. Vipmos-A buried injector structure for nonvolatile memory applications / G. J. Hemink, 1992. - 147 p. - Текст : непосредственный. Lucchetti L. Soft materials for optical storage / L. Lucchetti, F. Simoni, 2000. - 28 p. - Текст : непосредственный. Бояринов И.М. Методы помехоустойчивого кодирования и их применение в полупроводниковой памяти высокопроизводительных ЭВМ : специальность 05.13.13 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / И. М. Бояринов, 1994. - 28 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Авилов В.И. Разработка и исследование технологических основ формирования оксидных наноразмерных структур титана методом локального анодного окисления для создания мемристоров / В. И. Авилов, 2016. - 23 с. - Текст : непосредственный. Воробьев Ю.В. Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2 Sb2 Te5 / Ю. В. Воробьев, 2017. - 20 с. - Текст : непосредственный. Путролайнен В.В. Бистабильное электрическое переключение в структурах на основе оксидов ванадия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / В. В. Путролайнен, 2009. - 31 с. - Текст : непосредственный. Котова М.С. Резистивные переключения в органических структурах на основе модифицированной полимерной матрицы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. С. Котова, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Key technologies / Rheinisch-Westfalischen Techn. Hochsch. [et al.]. Vol. 109 : Study on the electroforming and resistive switching behaviour of nickel oxide thin films for non-volatile memory applications : dissertation / R. Weng, 2015. - 159 p. - Текст : непосредственный. Бабич А.В. Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Бабич, 2017. - 23 с. - Текст : непосредственный. Шиколенко Ю.Л. Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для диагностики электрофизических параметров элементов хранения энергонезависимой памяти : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Ю. Л. Шиколенко, 2016. - 35 с. - Текст : непосредственный. Механика жидкости и газа. - Журнал, 2002г. № 2. - Текст : непосредственный. Бутэ И.В. Процессы теплопроводности и диффузии в эффекте резистивного переключения с памятью в тонкопленочных оксидных структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / И. В. Бутэ, 2016. - 24 с. - Текст : непосредственный. Демин Г.Д. Исследование явлений перенос вращательного момента и спиновой нестабильности в туннельных и автоэмиссионных магнитных гетероструктурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Г. Д. Демин, 2016. - 25 с. - Текст : непосредственный. Schmidt D.O. Resistive switching of chemically synthesized TiO2 nanoparticles : dissertation / D. O. Schmidt, 2016. - IV, 156 p. - Текст : непосредственный. Егоров К.В. Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением : специальность: 01.04.04 - Физическая электроника: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / К. В. Егоров, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный. Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. Коряжкина М.Н. Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. Н. Коряжкина, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Иванов, Артем Ильич. Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров : 01.04.07 - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Артем Ильич, 2021. - 21 с. - Текст : непосредственный. Михеев, Виталий Витальевич. Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония : 01.04.04 - Физическая электроника: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Михеев Виталий Витальевич, 2021. - 26 с. - Текст : непосредственный. Зайцева, Юлия Сергеевна. Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Зайцева Юлия Сергеевна, 2021. - 23 с. - Текст : непосредственный. Одинцов, Данила Сергеевич. Электрохимически активные мономеры и полимеры с пендантными группами на основе соединений 9H-тиоксантен-9-онового ряда : 1.4.4. Физическая химия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / Одинцов Данила Сергеевич, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный. Никируй, Кристина Эрнестовна. Эффект резистивного переключения в нанокомпозитных структурах на основе ниобата лития с гранулами CoFe : 1.3.8. - Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Никируй Кристина Эрнестовна, 2022. - 26 с. - Текст : непосредственный. Андреева, Наталья Владимировна. Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем : 01.04.10 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физико-математических наук / Андреева Наталья Владимировна, 2022. - 34 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
