Полное описание
Ивлиев, Н. А.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.3.049.77(043) 47.14.21
Кл.слова (ненормированные): ЗАГРЯЗНЕНИЕ -- ПОДЛОЖКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- ТРЕНИЕ СКОЛЬЖЕНИЯ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар15-10235)
Шифр в сводном ЭК: 86e20ad7efa3bba9eedad051490f61b8
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Azar K. Effect of forced oscillation at the channel entrance for enhanced cooling of components in electronic circuit pack channels : доклад, тезисы доклада / K. Azar, 1990. - 8 p. - Текст : непосредственный. Махмудова М.М. Системы охлаждения элементов радиоэлектронной аппаратуры, работающих в режиме повторно-кратковременных тепловыделений / М. М. Махмудова, 2008. - 18 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Артамонова Е.А. Исследование и разработка конструктивно-технологических решений по расширению области безопасной работы мощных КНИ МОП-транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем / Е. А. Артамонова, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный. Будяков П.С. Разработка и исследование схемотехнических методов улучшения основных динамических параметров BJT IP модулей и аналоговых микросхем для устройств автоматики и вычислительной техники / П. С. Будяков, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Мац И.Л. Создание элементов интегральных схем на основе смыкания Р - N переходов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. Л. Мац, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный. Ивлиев Н.А. Метод и устройство трибометрической оценки концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.01 / Н. А. Ивлиев, 2015. - 15 с. - Текст : непосредственный. Луговский В.П. Инжекционно-полевые транзисторные структуры для аналоговых ИМС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. П. Луговский, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный. Wustenhagen R. Signalubertragung auf grossen Siliziumstrukturen : Diss. / R.W@:ustenhagen, 1991. - 231 S. - Текст : непосредственный. Жуков Д.М. Влияние электростатических разрядов на параметры низкочастотного шума интегральных схем : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Д. М. Жуков, 2016. - 15 с. - Текст : непосредственный. Демидова Ю.Б. Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазона на основе самоформируемых структур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Ю.Б. Демидова, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пинаев А.И. Разработка методов и средств оценки устойчивости КМОП ИС к воздействию электромагнитных помех : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / А. И. Пинаев, 1992. - 23 с. - Текст : непосредственный. Тихонов Р.Д. Исследование и разработка конструкции и технологии изготовления силовых интегральных микросхем на основе КМОП транзисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Р. Д. Тихонов, 2002. - 30 с. - Текст : непосредственный. Согоян А.В. Прогнозирование стойкости КМОП ИС к совместному воздействию стационарного ионизирующего излучения и температуры : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01, 05.13.05 / А. В. Согоян, 1997. - 17 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
