Полное описание
Materna, R. Перевод заглавия: Определение асимметричной матричной связи в легированных II-IV-полупроводниках с помощью электронно-ядерного двойного резонанса.Дис.
ГРНТИ УДК 47.09.29 621.315.592.3(043)
Рубрики: Полупроводники -- Легирование
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17744)
Шифр в сводном ЭК: 7216b3d349dc44d828cef704ea1672c4
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный. Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный. Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный. Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный. Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный. Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный. Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный. Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный. INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный. Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный. Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный. Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. -V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Макута И.Д. Фотоиндуцированные процессы на поверхности сильно легированных(вырожденных) оксидов металлов и полупроводниковых гетероструктур : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / И. Д. Макута, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов кремния, легированного германием : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. Н. Корляков, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Таскин А.А. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Таскин, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Materna R. Nachweis asymmetrischer Kopplungs-Matrizen in dotierten II-IV-Halbleitern mit Hilfe der Elektron-Kern-Doppelresonanz : Diss. / R.Materna, 1992. - 155 S. - Текст : непосредственный. Варламов А.Г. Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих Ян-Теллеровские комплексы примесных d-ионов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Г. Варламов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сягло А.И. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. И. Сягло, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный. Емец Е.Г. Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.02 / Е. Г. Емец, 2016. - 21 с. - Текст : непосредственный. Хвальковский Н.А. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Хвальковский, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный. Сосновский В.Р. Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Р. Сосновский, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Агафонов А.И. Переходы изолятор-сверхпроводник-металл в легированных невырожденных полупроводниках : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А.И. Агафонов, 2005. - 37 с. - Текст : непосредственный. Багаева Т.Ю. Оптические свойства радиационных поляритонов в полупроводниковых слоях с сильным экситонным резонансом : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Т. Ю. Багаева, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Петров В.В. Примесно-дефектное взаимодействие в кремнии, легированном лантаноидами, алюминием и изовалентными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Петров, 1999. - 35 с. - Текст : непосредственный. Liefting J.R. Engineering of damage in ion implanted silicon : Diss. / J.R.Liefting, 1992. - 101 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
